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IXSA65N120L2-7TR

Name: IXYS IXSA65N120L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSA65N120L2-7TR
Price: 14614 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

747-IXSA65N120L2-7TR

제조업체 번호:

IXSA65N120L2-7TR

제조업체:

IXYS

설명:

SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

IXSA65N120L2-7TR 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 78

재고:: 78

즉시 배송 가능

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주문 중:: 800

예상 2026-06-02
공장 리드 타임:: 27

주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(800의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩14,614.6	₩14,615
	₩10,804	₩108,040
	₩8,030	₩803,000
	₩6,555.4	₩3,277,700
전체 릴(800의 배수로 주문)
	₩6,540.8	₩5,232,640

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	IXYS
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TO-263-7L
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Id - 연속 드레인 전류:	65 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	53 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.5 V
Qg - 게이트 전하:	110 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	417 W
채널 모드:	Enhancement
브랜드:	IXYS
구성:	Single
하강 시간:	11.6 ns
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
제품:	MOSFETs
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	19.6 ns
팩토리 팩 수량:	800
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	20.8 ns
표준 턴-온 지연 시간:	11 ns

제품을 찾음:

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IXSA65N120L2-7TR 데이터시트 (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXSxNxL2Kx 실리콘 카바이드 (SiC) MOSFET

IXYS IXSxNxL2Kx 실리콘 카바이드 (SiC) MOSFET은 낮은 온 상태 저항 [R_{DS (on)}]과 함께 높은 차단 전압을 제공합니다. 온 상태 저항은 25mΩ ~160 mΩ 이며 연속 드레인 전류(I_D)는 20A ~ 111A 입니다. 이 장치는 낮은 정전 용량으로 고속 스위칭을 제공하고 초고속 진성 바디 다이오드를 갖추고 있습니다. 이 장치는 650V 또는 1,200V 드레인-소스 정격 전압(V_DSS)으로 제공됩니다. IXYS IXSxNxL2Kx SiC(탄화 규소) MOSFET은 세 가지 패키지(TO-263-7L, TOLL-8 및 TO-247-4L)로 제공됩니다.