Wolfspeed SiC C3M MOSFET
Cree SiC C3M MOSFET은 높은 스위칭 주파수가 가능하고 및 인덕터, 커패시터, 필터 및 트랜스포머 구성요소 크기를 줄입니다. SiC C3M MOSFET은 시스템 효율성 높으며 쿨링 요건이 낮습니다. MOSFET은 또한 전력 밀도 및 시스템 스위칭 주파수를 증가시킵니다.
특징
- C3M SiC MOSFET technology
- High blocking voltage with low on-resistance
- High speed switching with low capacitances
- Low impedance package with driver source
- Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
- Halogen-free, RoHS compliant
애플리케이션
- Renewable energy
- EV battery chargers
- High voltage DC/DC converters
- Switch-mode power supplies
- Lighting
- Telecom power supplies
- Induction heating
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Wolfspeed 750V 이산 탄화 규소 MOSFET
로우 프로파일 설계로 높은 시스템 전력 밀도를 구현하며 업계 표준 패키지로 제공됩니다.
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| 부품 번호 | 데이터시트 | Id - 연속 드레인 전류 | Rds On - 드레인 소스 저항 | Qg - 게이트 전하 | Pd - 전력 발산 | 상승 시간 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| C3M0021120D |  |
100 A | 28.8 mOhms | 160 nC | 469 W | 27 ns |
| C3M0032120D | |
63 A | 32 mOhms | 114 nC | 283 W | 22 ns |
| C3M0900170J-TR | |
|||||
| C3M0900170D | |
|||||
| C3M0060065K | |
37 A | 60 mOhms | 46 nC | 150 W | 11 ns |
| C3M0900170M | |
|||||
| C3M0032120K | |
63 A | 32 mOhms | 118 nC | 283 W | 18 ns |
게시일: 2016-01-26
| 갱신일: 2024-05-09