Wolfspeed / Cree X-밴드 GaN HEMT 및 MMIC

Wolfspeed/Cree X-Band GaN HEMTs & MMIC 와이드 밴드갭은 GaAs 기반 소자에 비해 항복 전계를 5배, 전력 밀도를 10~20배 증가시킵니다. Cree GaN 구성 요소는 동일 작동 전력에 크기는 더 작고 정전용량은 더 낮습니다. 이것이 의미하는 바는 증폭기가 더 넓은 범위로 작동할 수 있다는 뜻이며, 이럴 경우 입력과 출력은 양호한 매칭을 보이게 될 것입니다. X-band 전력 증폭기가 벗어나야 할 것은 비효율적인 GaAs pHEMT 및 신뢰도가 떨어지는 트래블링 파형 튜브(Traveling Wave Tubes)이며, 이는 GaN HEMTs 및 MMIC가 훨씬 더 장점이 많기 때문입니다.

The GaN HEMTs and MMICs wide-bandgap increase the breakdown field by five times and the power density by a factor of 10 to 20 compared with GaAs-based devices. Cree GaN components are smaller and have a lower capacitance for the same operating power. This means that amplifiers can operate over a wider bandwidth while exhibiting good input and output matching. X-band power amplifiers are moving away from inefficient GaAs pHEMTs and unreliable Traveling Wave Tubes due to the significant advantages of GaN HEMTs and MMICs. Typical applications include weather, defense and commercial based systems, air-traffic control, and fire-control.