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Vishay Semiconductors VSMY1850 고속 IR 발광 다이오드

Vishay Semiconductors VSMY1850 고속 IR 발광 다이오드는 GaAlAs 표면 이미터 칩 기술을 기반으로 850nm의 피크 파장을 제공합니다. 이 다이오드는 높은 복사 강도, 고속 및 높은 광 출력을 특징으로 합니다. VSMY1850 다이오드는 표면 장착을 위해 투명하고 착색되지 않은 0805 플라스틱 패키지로 성형됩니다.

특징

  • 패키지 형태: 0805 표준 표면 실장
  • 고속
  • 높은 방사속
  • 높은 방사 강도
  • 높은 펄스 전류 작동에 적합
  • 피크 파장: 850nm
  • 절반 감도 각도: ϕ = ±60°
  • 개봉 후 노출 수명: 168시간, MSL 3, acc. J-STD-020
  • 무연 리플로 땜납
  • 크기: 2mm x 1.25mm x 0.85mm

애플리케이션

  • IrDA 호환 데이터 전송
  • 소형 조명 배리어
  • 포토 인터럽터
  • 광학 스위치
  • 근접 센서용 이미터 소스
  • IR 터치 패널
  • IR 플래시
  • IR 조명
  • 3D TV

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게시일: 2019-10-30 | 갱신일: 2023-12-31