Vishay VEMD5510C 및 VEMD5510CF 광다이오드
Vishay Semiconductors VEMD5510C 및 VEMD5510CF 광다이오드는 웨어러블 기기와 의료 및 산업 애플리케이션에서 안정적인 신호 감지 필요성을 충족하도록 설계되었습니다. 신호 대 잡음비 향상을 위한 적외선 방사 억제 필터 및 블랙 패키지가 특징인 이 고속 실리콘 PIN 광다이오드는 콤팩트한 탑뷰, 표면 실장 패키지에서 빠른 스위칭 시간과 낮은 정전용량을 제공합니다.
7.5mm2의 넓은 영역이 발광에 민감하게 반응하는 이 광다이오드는 민감도 범위가 440~700nm(VEMD5510C) 및 440~620nm(VEMD5510CF)이고, 역방향 광전류는 각각 0.6µA 및 0.25µA입니다. 또한, VEMD5510C 및 VEMD5510CF는 비가시광선에서 외란을 제거하는 온칩 억제 필터가 있고 불필요한 측면 조명을 차단하는 블랙 패키지가 특징입니다. 이에 따라 VEMD5510C의 경우 800nm보다 긴 파장, VEMD5510CF의 경우 700nm보다 긴 파장에 대해 분광 감도가 5% 미만이므로 사람의 눈과 거의 일치하는 수준이 됩니다.
VEMD5510C와 VEMD5510CF는 절반 감도의 ±65° 각도, 작동 온도 범위 -40~+100°C, 각각 550nm 및 540nm 파장의 피크 감도가 특징입니다. RoHS 규격을 준수하고 할로겐이 함유되지 않은 Vishay Semiconductors Green 제품인 이 광다이오드는 72시간의 플로어 수명 동안 J-STD-020에 따라 4의 습도 감도 레벨(MSL)을 제공합니다.
VEMD5510C 및 VEMD5510CF 광다이오드는 5mm x 4mm의 작은 패키지에 0.9mm의 로우 프로파일로 제공되므로 슬림 센서 설계를 실현할 수 있습니다.
특징
- 발광 민감 면적: 7.5mm2
- 높은 광감도
- 피크 감도의 파장
- VEMD5510C: 550nm
- VEMD5510CF: 540nm
- 스펙트럼 대역폭의 범위:
- VEMD5510C: 440~700nm
- VEMD5510CF: 440~620nm
- 9.0mm 로우 프로파일
- 상승/하강 시간: 5ns
- 적외선 복사용 억제 필터
- 절반 감도 각도: ±65°
- 탁월한 광전류 선형성
- 빠른 응답 시간
- 플로어 수명: 72시간, MSL 4, J-STD-020에 따름
- 패키지 유형: 표면 마운트
- 패키지 형태: 탑뷰
- 크기: 5.0mm x 4.0mm
- RoHS 규격 준수, 무연, 무할로겐
애플리케이션
- 웨어러블
- 피트니스 트래커
- 스마트 워치
- 의료
- 펄스 산소 측정
- 혈액 분석
- 자동차
- 비-조명-터널 센서
- 태양광 센서
개요
관련 제품
Vishay Semiconductors IR Emitters & Silicon PIN Photodiode
High-speed 850 and 940nm IR emitters and package-matched high-speed silicon PIN photodiode.