Vishay SISS7xDN TrenchFET MOSFET
Vishay SISS7xDN-T1-GE3 TrenchFET MOSFET는 RDS, QG, QSW 및 QOSS의 균형을 최적화하는 ThunderFET 기술이 적용된 TrenchFET®를 사용합니다.이 MOSFET는 100% Rg이며 UIS(Unclamped Inductive Switching) 테스트를 거쳤습니다. SISS7xDN TrenchFET MOSFET는 일차측 스위칭, 동기식 정류, DC/DC 컨버터, 모터 드라이브 제어 및 부하 스위치에 사용됩니다. 이 MOSFET는 PowerPAK 1212-8S 패키지로 제공됩니다.
애플리케이션
- 일차측 스위칭
- 동기식 정류
- DC/DC 컨버터
- 모터 드라이브 제어
- 로드 스위치
SISS7xDN TrenchFET MOSFET 회로도
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| 부품 번호 | 데이터시트 | 설명 | Vds - 드레인 소스 항복 전압 | Id - 연속 드레인 전류 | Qg - 게이트 전하 | Rds On - 드레인 소스 저항 | 트랜지스터 타입 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SISS72DN-T1-GE3 |  |
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S | 150 V | 25.5 A | 22 nC | 42 mOhms | 1 N-Channel |
| SISS70DN-T1-GE3 | |
MOSFET 125V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S | 125 V | 31 A | 15.3 nC | 29.8 mOhms | 1 N-Channel |
게시일: 2018-08-21
| 갱신일: 2023-03-06