Vishay / Siliconix Siliconix 4세대 EF 시리즈 MOSFET

Vishay Siliconix 4세대 EF 시리즈 MOSFET은 고성능 스위칭과 높은 효율을 위해 극히 낮은 FOM(성능 지수) 등급을 제공합니다. MOSFET FOM은 ON 저항(R_(DS)ON)에 게이트 전하(Q_g)를 곱한 값으로 계산됩니다. Vishay 4세대 시리즈 초접합 기술을 기반으로 제작되는 이들 MOSFET은 V_GS=10V에서 0.088~0.225Ω의 낮은 표준 ON 저항 범위와 최저 21nC의 극히 낮은 게이트 전하량이 특징입니다. 스위칭 성능 개선을 위해, 이들 장치는 또한 낮은 유효 출력 정전용량(CO_(er) 및 Co_(tr))을 제공합니다. 이들 값은 전도 및 스위칭 손실의 감소로 에너지가 절약된다는 의미로 해석할 수 있습니다.