Toshiba 이산 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 솔루션

전력 보호 회로 솔루션

외부 ESD(정전기 방전), 비정상적인 전원 공급 입력 및 핫 스왑 동안 과전압 서지가 시스템에 문제를 일으키는 경우가 많습니다. 이러한 손상으로부터 귀중한 데이터와 PMIC를 보호하기 위해 eFuse IC, ESD 보호 다이오드, 제너 다이오드 및 쇼트키 배리어 다이오드의 조합은 매우 효과적입니다.

Toshiba의 eFuse IC는 하나의 패키지에 초고속 단락 보호 및 과전류, 과전압 및 돌입 전류 억제와 같은 다양한 보호 기능을 구현합니다. 또한 IEC62368-1(G.9)을 인수했으므로 이전보다 단순하고 강력한 보호 회로를 제공할 수 있습니다.

또한 높은 IPP ESD 보호 다이오드 또는 제너 다이오드를 사용하여 여러 ns에서 ms의 ESD 서지 및과도 전압에 대응할 수 있습니다. SBD와 결합하면 네거티브 전압에 대한 측정 기능을 수행하고 역전류를 방지하는 보다 견고한 보호 회로를 만들 수 있습니다.

배전 스위치 솔루션

전압 변환을 위한 전원 스위치 및 LDO의 선택은 저전압/고전류 전력 제어에 특히 중요합니다.

어떤 경우에는 저전압 라인이 널리 사용되는 많은 로드 스위치에 대한 최소 전압 요구 사항을 충족하지 않습니다. 저전압 전원 공급 스위치의 경우 0.75V에서만 작동하는 로드 스위치 IC TCK207AN이 권장됩니다. 또한 21mΩ의 낮은 온 상태 저항을 제공하고 최대 2.0A까지 출력할 수 있습니다. 온 상태 저항이 낮은 Toshiba의 소형 MOSFET도 권장되며 다양한 패키지 및 구성에서 찾을 수 있습니다.

전원 레일 자체가 충분하지 않으면 LDO 조정기가 권장됩니다. 예를 들어, 낮은 소비전력 LDO TCR3U 시리즈는 낮은 소비 전류로 0.8~5.0V의 넓은 출력 전압을 제공합니다. 다양한 내장 기능은 대기 전류를 줄이고 과도 응답을 개선합니다.

대전류 LDO TCR15AG 시리즈는 이중 전원 공급 기술을 채택하고 초저 드롭아웃 전압과 0.6~3.6V의 넓은 출력 전압으로 최대 1.5A를 출력할 수 있습니다. LDO 조정기는 드롭아웃을 최소화하고 거의 모든 설계 장치에 적합한 매우 정확한 전압 레일을 제공합니다.