Texas Instruments TMS320VC5506 고정점 디지털 신호 프로세서

Texas Instruments TMS320VC5506 고정점 DSP(디지털 신호 프로세서)는 TMS320C55x DSP 세대 CPU 프로세서 코어에 기반을 두고 있습니다. Texas Instruments TMS320C55x DSP 아키텍처는 향상된 병렬화 및 전력 절감에 중점을 두어 고성능 및 저전력을 달성합니다. CPU는 내부 버스 구조를 지원하며 하나의 프로그램 버스, 3개의 데이터 읽기 버스, 2개의 데이터 쓰기 버스 및 주변 장치 및 DMA 활동 전용의 추가 버스로 구성되어 있습니다. 이 버스는 단일 사이클에서 최대 3개의 데이터 읽기와 2개의 데이터 쓰기를 수행할 수 있습니다. DMA 컨트롤러는 CPU 활동과 관계없이 병렬로 사이클당 최대 2개의 데이터 전송을 수행할 수 있습니다.

TMS320C55x CPU는 단일 사이클에서 각각 17비트 x 17비트의 곱셈이 가능한 2개의 MAC(곱셈-누산) 장치를 제공합니다. 중앙 40비트 ALU(산술/로직 장치)는 추가 16비트 ALU에 의해 지원됩니다. ALU를 사용하는 것은 명령 집합 제어 하에 있으므로 병렬 작동 및 소비전력을 최적화할 수 있습니다. 이러한 리소스는 TMS320C55x CPU의 AU(어드레스 장치) 및 DU(데이터 장치)에서 관리됩니다. TMS320C55x DSP 세대는 향상된 코드 밀도를 위해 가변 바이트 폭 명령어 세트를 지원합니다. IU(지시 장치)는 내부 또는 외부 메모리에서 32비트 프로그램 페치를 수행하고 PU(프로그램 장치)에 대한 명령어를 대기열로 가져옵니다. 프로그램 장치는 명령을 해독하고 작업을 AU 및 DU 리소스로 전달하며 완전히 보호된 파이프 라인을 관리합니다. 예측 분기 기능은 조건부 명령 실행 시 파이프라인 플러시를 방지합니다.

TMS320VC5506의 128KB 온칩 메모리는 많은 휴대용 기기, 휴대용 GPS 시스템, 무선 스피커폰, 휴대용 PDA 및 게임기에 충분합니다. 이런 가전제품 중 다수는 일반적으로 64KB 이상의 온칩 메모리가 필요하지만 128KB 미만의 메모리가 필요하며 60~70%의 대기 모드에서 작동해야 합니다. 128KB 이상의 온칩 메모리가 필요하지만 256KB 미만의 온칩 메모리가 필요한 애플리케이션을 위해, Texas Instruments는 TMS320C55x DSP 코어를 기반으로 하는 TMS320VC5509A 장치를 제공합니다.

TMS320C5506 주변 장치 세트에는 EPRAM 및 SRAM과 같은 비동기식 메모리뿐만 아니라 동기식 DRAM과 같은 고속 고밀도 메모리에 대한 글루리스 액세스를 제공하는 EMIF(외부 메모리 인터페이스)가 포함되어 있습니다. 추가적인 주변 장치에 대한 예로는 USB(범용 직렬 버스), 실시간 클록, 워치독 타이머 및 I²C 다중 마스터 및 슬레이브 인터페이스를 들 수 있습니다. 3개의 전이중 McBSP(다중 채널 버퍼 직렬 포트)는 다양한 업계 표준 직렬 장치에 대한 글루리스 인터페이스와 최대 128개의 개별적으로 활성화된 채널과의 다중 채널 통신을 제공합니다. DMA 컨트롤러는 CPU 개입 없이 6개의 독립 채널 컨텍스트에 대한 데이터 이동을 제공하여 사이클당 최대 2개의 16비트 워드의 DMA 처리량을 제공합니다. 2개의 범용 타이머, 최대 8개의 전용 GPIO(범용 I/O) 핀, DPLL(디지털 위상 잠금 루프) 클록 발생 장치도 포함되어 있습니다.

특징

고성능, 저전력, 고정 소수점 TMS320C55™ 디지털 신호 프로세서
- 명령 사이클 시간: 9.26ns
- 클록 속도: 108MHz
- 사이클당 1/2개의 명령 실행
- 듀얼 멀티플라이어[최대 2억 1,600만 MACS(초당 곱셈-누산)]
- 2개의 ALU(산술/로직 장치)
- 3개의 내부 데이터/오퍼랜드 및 읽기 버스 그리고 2개의 내부 데이터/오퍼랜드 및 쓰기 버스
다음으로 구성된 64K × 16비트 온칩 RAM
- 4K × 16비트의 64KB DARAM(듀얼 액세스 RAM) 8 블록
- 64KB의 일회 대기 상태 온칩 ROM(4K × 16비트)
온칩 부트로더
8M × 16비트 최대 어드레스 지정 가능 외부 메모리 공간(동기식 DRAM)
GPIO 기능과 글루리스 인터페이스가 있는 16비트 EMF(외부 메모리 인터페이스)
- 비동기 SRAM(정적 RAM)
- 비동기 EPROM
- SDRAM(동기식 DRAM)
6개의 장치 기능 도메인에 대한 프로그래밍 가능 저전력 제어

온칩 스캔 기반 에뮬레이션 로직
온칩 주변 장치
- 20비트 타이머 2개
- 감시 타이머
- 6채널 DMA(직접 메모리 액세스) 컨트롤러
- McBSP(다중 채널 버퍼형 직렬 포트) 3개
- 프로그래밍 가능한 PLL(위상 잠금 루프) 클록 발생기
- LQFP 7개 또는 BGA 8개의 GPIO(범용 I/O) 핀과 XF(범용 출력) 핀
- 벌크, 인터럽트 및 등시 전송을 지원하는 USB 전속(12Mbps) 슬레이브 포트
- I²C(내부 집적 회로) 마스터 및 슬레이브 인터페이스
- 크리스털 입력, 별도 클록 도메인 및 별도 전원 공급 장치가 내장된 RTC(실시간 클록)
IEEE Std 1149.1 (JTAG) 경계 스캔 로직
패키지
- 144 단자 LQFP(로우 프로파일 쿼드 플랫 팩) (PGE 접미사)
- 179 단자 MicroStar BGA™(볼 그리드 어레이) (GHH 및 ZHH 접미사)
1.2V 코어(108MHz), 2.7~3.6V I/O