Texas Instruments DRV8334/DRV8334-Q1 통합 스마트 게이트 드라이버
Texas Instruments DRV8334/DRV8334-Q1 통합 스마트 게이트 드라이버는 3상 BLDC 애플리케이션용으로 설계되었습니다. 이 장치는 각각 하이사이드 및 로우사이드 N채널 전력 MOSFET를 구동할 수 있는 3개의 하프 브리지 게이트 드라이버를 제공합니다. DRV8334는 통합 부트스트랩 다이오드와 GVDD 충전 펌프를 사용하여 올바른 게이트 구동 전압을 생성합니다. 스마트 게이트 드라이브 아키텍처는 0.7mA부터 1A 소스 및 2A 싱크까지 구성 가능한 피크 게이트 드라이브 전류를 지원합니다. DRV8334는 4.5V~60V의 넓은 입력 범위를 갖춘 단일 전원 공급 장치에서 작동할 수 있습니다. 트리클 충전 펌프를 통해 게이트 드라이버는 100% PWM 듀티 사이클 제어를 지원하고, 외부 스위치에 오버드라이브 게이트 드라이브 전압을 제공합니다.
Texas Instruments DRV8334/DRV8334-Q1은 저항 기반 로우사이드 전류 감지를 지원하는 로우사이드 전류 감지 증폭기를 제공합니다. 증폭기의 낮은 오프셋 덕분에 시스템은 정밀한 모터 전류 측정값을 얻을 수 있습니다. DRV8334/DRV8334-Q1에 통합된 다양한 진단 및 보호 기능은 강력한 모터 드라이브 시스템 설계를 가능하게 하며 외부 부품의 필요성을 없애줍니다. 고도로 구성 가능한 장치 응답 덕분에 장치를 다양한 시스템 설계에 원활하게 통합할 수 있습니다. DRV8334-Q1 장치는 자동차 애플리케이션에 대한 AEC-Q100 인증을 받았습니다.
특징
- 3상 하프 브리지 게이트 드라이버
- 6개의 NMOS(N채널 MOSFET) 구동
- 4.5V~60V 넓은 작동 전압 범위
- 하이 사이드 게이트 드라이버를 위한 부트스트랩 아키텍처
- 최대 50mA 평균 게이트 스위칭 전류를 지원하는 강력한 GVDD 충전 펌프를 통해 20kHz에서 400nC MOSFET을 구동할 수 있습니다.
- 100% PWM 듀티 사이클을 지원하고 외부 차단 또는 역극성 보호 회로를 구동하기 위한 오버드라이브 전원을 생성하는 세류 충전 펌프
- 스마트 게이트 드라이브 아키텍처
- 최대 1000mA/2000mA(소스/싱크)의 45-level 구성 가능한 피크 게이트 드라이브 전류
- 충전/방전 주기를 최적화하고 데드타임을 최소화하는 3단계 구동 전류 구성
- 게이트-소스 전압 모니터링을 기반으로 하는 폐쇄 루프 자동 데드타임 삽입
- 과전류 차단 시 유도성 전압 스파이크를 최소화하도록 구성 가능한 소프트 차단
- 로우 사이드 전류 감지 증폭기
- 온도 전반에 걸쳐 Sub-1mV의 낮은 입력 오프셋
- 9-level 조정 가능한 이득
- SPI 기반 세부 구성 및 진단
- 드라이버를 독립적으로 비활성화하는 DRVOFF 핀
- 고전압 웨이크업 핀(nSLEEP)
- 6x, 3x, 1x 및 독립적인 PWM 모드
- 3.3V 및 5V 로직 입력 지원
- 통합 보호 기능
- 배터리 및 전원 공급 전압 모니터
- 위상 피드백 비교기
- MOSFET VDS 및 Rsense 과전류 모니터
- MOSFET VGS 게이트 오류 모니터
- 장치 과열 경고 및 차단
- 결함 상태 표시 핀
애플리케이션
- 가전제품, 무선 정원 및 전동 공구, 잔디 깎는 기계
- BLDC(무브러시 DC) 모터 모듈 및 PMSM
- 팬, 펌프, 서보 드라이브
- 전동 바이크, 전동 스쿠터, E-모릴리티
- 무선 진공청소기
- 드론, 산업 및 물류 로봇, RC 장난감
단순화된 회로도
관련 개발 도구
Texas Instruments DRV8334EVM 평가 모듈
30A 3상 브러시리스 게이트 드라이버인 DRV8334를 평가하도록 설계되었습니다.
게시일: 2024-02-07
| 갱신일: 2025-07-10