Texas Instruments CSD22206W P채널 NexFET™ 전력 MOSFET
Texas Instruments CSD22206W P-채널 NexFET™ 전력 MOSFET은 가장 작은 패키지에서 가장 낮은 ON 저항과 게이트 전하를 제공하도록 설계된 –8V, 4.7mΩ, 1.5mm×1.5mm 장치입니다. 이 장치는 우수한 열 특성을 지니고 있으면서도 윤곽은 가능한 한 가장 작게 설계되었습니다. 낮은 ON 저항, 작은 설치 공간, 로우 프로파일이라는 특성이 결합된 이 장치는 공간 제약이 있는 배터리 작동식 애플리케이션에 이상적입니다.
특징
- Ultra-low resistance
- Small footprint 1.5mm × 1.5mm
- Lead-free
- Gate ESD protection
- RoHS Compliant
- Halogen-free
- Gate-source voltage clamp
애플리케이션
- Load switch
- Battery management
- Battery protection
Functional Diagram
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Texas Instruments NexFET™ 전력 MOSFET
두 배의 주파수로 90%의 전원 공급 장치 효율을 달성.
게시일: 2017-11-01
| 갱신일: 2022-07-11