STMicroelectronics STP65N150M9 전력 MOSFET

STMicroelectronics STP65N150M9 전력 MOSFET은 초접합 MDmesh M9 기술을 기반으로 합니다. 이 장치는 면적당 매우 낮은 R_DS(on)를 특징으로 하는 중/고 전압 MOSFET에 적합합니다. 실리콘 기반 M9 기술은 다중 드레인 제조 공정의 이점을 제공하여 장치 구조를 향상시킬 수 있습니다. 결과적으로 생성되는 이 제품은 모든 실리콘 기반 고속 스위칭 초접합 전력 MOSFET 사이에서 낮은 온 상태 저항과 게이트 충전 값을 제공합니다. 이러한 기능 덕분에 이 장치는 우수한 전력 밀도와 뛰어난 효율성이 필요한 애플리케이션에 이상적입니다.