STMicroelectronics STL325N4LF8AG N 채널 전력 MOSFET
STMicroelectronics STL325N4LF8AG N 채널 전력 MOSFET은 STripFET F8 기술을 활용하며 향상된 트렌치 게이트 구조가 특징입니다. STL325N4LF8AG는 매우 낮은 온 상태 저항을 보장합니다. 이 장치는 또한 더 빠르고 효율적인 스위칭을 위해 내부 커패시턴스와 게이트 전하를 줄입니다.
특징
- AEC-Q101 인증
- MSL1 등급
- 175°C 작동 온도
- 100% 애버랜치 테스트 통과
- 습식 플랭크 패키지
- 우수한 바디 드레인 다이오드 연성
- 낮은 EMI 잡음 방출
- 낮은 출력 커패시턴스 및 직렬 저항
- 턴오프 및 짧은 발진 시간으로 드레인-소스 전압에 대한 낮은 스파이크
- 낮은 게이트 드레인 전하
- 빠른 턴오프 및 낮은 스위칭 손실
- 엄격한 게이트 임계 전압 확산
- 쉬운 병렬 연결
- 매우 높은 전류 성능
- 높은 단락 견고성
애플리케이션
- 스위칭 애플리케이션
- 전력 변환
- 모터 제어
- 배전
비디오
관련 MOSFET
STMicroelectronics STripFET F8 N 채널 전력 MOSFET
AEC-Q101 인증을 받았으며 30V~150V까지 포괄적인 패키지 솔루션을 제공합니다.
설계 완성하기
STMicroelectronics 표준 제품
범용 아날로그 IC, 이산 및 직렬 EEPROM을 위한 광범위한 즉시 교체 제품입니다.
게시일: 2022-06-22
| 갱신일: 2024-11-18