특징
- 낮은 온 상태 저항
- 간단한 드라이브 회로 통합
- 빠른 전환 속도
- 무연 도금
- AEC-Q101 인증
- RoHS 준수
사양
- R8001CND3FRA
- 8.7Ω 정적 드레인-소스 온 상태 저항
- ±1 A 연속 드레인 전류
- 전력 손실(PD): 36W
- R8002CND3FRA
- 4.3Ω 정적 드레인-소스 온 상태 저항
- ±2 A 연속 드레인 전류
- 전력 손실(PD): 69W
- R8007AND3FRA
- 1.6Ω 정적 드레인-소스 온 상태 저항
- ±7 A 연속 드레인 전류
- 전력 손실(PD): 140W
- 공통
- 800 V 드레인-소스 전압(VDSS)
- DPAK(TO-252) 패키지로 제공
- -55 °C ~ +150 °C 작동 온도 범위
내부 회로 선도
성능 그래프
View Results ( 3 ) Page
| 부품 번호 | 데이터시트 | 설명 | Id - 연속 드레인 전류 | Rds On - 드레인 소스 저항 | Qg - 게이트 전하 | Pd - 전력 발산 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| R8007AND3FRATL | ![]() |
MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 7A 1st Gen, for Auto | 7 A | 1.6 Ohms | 28 nC | 140 W |
| R8001CND3FRATL | ![]() |
MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 1A 1st Gen, for Auto w/ESD Protect | 1 A | 8.7 Ohms | 7.2 nC | 36 W |
| R8002CND3FRATL | ![]() |
MOSFET TO252 800V 2A N-CH | 2 A | 4.3 Ohms | 12.1 nC | 69 W |
게시일: 2020-11-18
| 갱신일: 2024-10-29

