ROHM Semiconductor QS6Kx Nch+Nch 자동차용 MOSFET
ROHM Semiconductor QS6Kx Nch+Nch 자동차용 MOSFET은 내장형 G-S 보호 다이오드와 함께 제공되는 낮은 온 저항 MOSFET입니다. 이 MOSFET은 AEC-Q101 인증을 받았으며 ±1A 연속 드레인 전류(ID)가 특징입니다. QS6Kx MOSFET은 소형 표면 실장 패키지(TSMT6)로 제공됩니다. ROHM Semiconductor QS6Kx MOSFET은 전력 스위칭 애플리케이션에 적합합니다.
특징
- 낮은 온 상태 저항
- 내장형 G-S 다이오드
- AEC-Q101 인증
- 소형 표면 실장 패키지(TSMT6)
사양
- QS6K1FRA
- 드레인-소스 전압(VDSS): 30V
- QS6K21FRA
- 드레인-소스 전압(VDSS): 45V
- 공통
- 연속 드레인 전류(ID): ±1A
- 1.25 W 전력 손실(PD)
- -55 °C ~ +150 °C 작동 온도 범위
QS6K1FRA 등가 회로
QS6K21FRA 내부 회로
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| 부품 번호 | 데이터시트 | 설명 | Vds - 드레인 소스 항복 전압 | Rds On - 드레인 소스 저항 | Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 | Qg - 게이트 전하 | 상승 시간 | 하강 시간 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| QS6K1FRATR |  |
MOSFET 0.26Rds(on) 1.7Qg | 30 V | 238 mOhms | 1.5 V | 1.7 nC | 7 ns | 6 ns |
| QS6K21FRATR | |
MOSFET 0.415Rds(on) 1.5Qg | 45 V | 420 mOhms | 1.5 V | 1.5 nC | 8 ns | 7 ns |
게시일: 2020-11-18
| 갱신일: 2024-10-29