Qorvo QPD0005 GaN RF 트랜지스터
Qorvo QPD0005 GaN RF 트랜지스터는 SiC HEMT(고전자 이동도 트랜지스터)의 단일 경로 이산 GaN이며 플라스틱 오버몰드 DFN 패키지로 제공됩니다. 이 RF 트랜지스터는 2.5~5GHz 주파수 범위에서 작동합니다. Qorvo QPD0005 GaN RF 트랜지스터는 48V 작동 시 8.7W PSAT 를 제공할 수 있는 단일 스테이지의 탁월한 트랜지스터입니다. 이 트랜지스터는 4.5mm x 4.0mm 패키지로 제공되고 RoHS 규격을 준수합니다. WCDMA/LTE, 매크로셀 기지국, 마이크로 셀 기지국, 소형 셀, 액티브 안테나, 5G 대용량 MIMO 및 범용 애플리케이션에 사용됩니다.
사양
- 2.5 GHz~5 GHz 작동 주파수 범위
- 48V 작동 드레인 전압
- 8.7W 최대 출력 전력(PSAT)(3.6GHz)
- 72.9% 최대 드레인 효율(3.6GHz)
- 18.8dB 효율 튜닝 P3dB 이득(3.6GHz)
- 4.5mm x 4.0mm DFN 패키지
애플리케이션
- WCDMA/LTE
- 매크로셀 기지국
- 마이크로셀 기지국
- 소형 셀
- 능동 안테나
- 5G 대용량 MIMO
- 범용 애플리케이션
비디오
추가 자료
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관련 보드
Qorvo QPD0005 평가 보드
탁월한 SiC RF 트랜지스터인 QPD0005 GaN 단일 스테이지를 평가하도록 설계되었습니다.
게시일: 2020-09-22
| 갱신일: 2024-08-26