Qorvo QPA3069 100W GaN 전력 증폭기
Qorvo QPA3069 100W GaN 전력 증폭기는 군용 레이더 시스템에 적합하게 패키지로 제공되는 고전력 S-대역 증폭기입니다. 이 증폭기는 2.7~3.5GHz를 포괄하고 실리콘 카바이드(SiC) 처리를 통해 Qorvo에 생산하는 0.25µm 질화갈륨(GaN) 기반으로 제작됩니다. QPA3069는 50dBm의 포화 출력과 25dB의 대신호 이득을 제공하는 한편, 53%의 전력 부가 효율을 달성합니다. QPA3069는 7mm x 7mm 48핀 플라스틱 오버몰딩 패키지로 제공됩니다. QPA3069 MMIC는 50Ω에 정합되는 양쪽 RF 포트에 모두 DC 차단 커패시터가 있습니다.
특징
- 주파수 범위: 2.7~3.5GHz
- 패키지 치수: 7mm x 7mm x 0.85mm
- 채널 2개
- 전력 손실: 117W
- 이득: 29.3dB
- 작동 공급 전압: 30V
- 작동 온도 범위: -40~+85°C
사양
- PSAT(PIN=25dBm): > 50dBm
- PAE(PIN=25dBm): > 53%
- 전력 이득(PIN=25dBm): > 25dB
- 바이어스: VD = 0V, IDQ = 300mA, PIN = 25dBm
개발 도구
Qorvo QPA3069EVB 평가 보드
QPA3069 100W GaN 전력 증폭기를 개발합니다.
일반 애플리케이션 회로
블록 선도
게시일: 2019-08-20
| 갱신일: 2023-11-28