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onsemi UG3SC 1 200 V 7.6 mΩ 콤보-FET

Onsemi UG3SC 1 200 V 7.6 mΩ 콤보-FET는 1 200 V SiC JFET과 저전압 Si MOSFET을 단일 TO-247-4L 패키지로 결합합니다. 이 설계는 상시 켜져 있는 SiC JFET의 장점을 활용하면서 상시 꺼져 있는 스위치를 가능하게 합니다. Onsemi의 UG3SC 콤보-FET는 전도 손실을 줄이고 회로 보호 애플리케이션에서 고에너지 스위칭에 필요한 견고성을 위해 초저 온저항[RDS(on)]을 제공합니다.

특징

  • 한 자릿수 RDS(on)
  • 상시 오프 기능
  • 향상된 속도 제어
  • 병렬 장치 작동 개선(3+ FET)
  • +175 °C의 최대 작동 온도
  • 높은 펄스 전류 성능
  • 탁월한 장치 견고성 
  • 우수한 열 저항을 위해 은 소결 다이 부착

애플리케이션

  • 솔리드 스테이트/반도체 회로 차단기
  • 솔리드 스테이트/반도체 계전기
  • 배터리 분리
  • 서지 보호
  • 돌입 전류 제어
  • 고전력 스위치 모드 컨버터(>25kW)

회로 선도

애플리케이션 회로도 - onsemi UG3SC 1 200 V 7.6 mΩ 콤보-FET
게시일: 2024-09-30 | 갱신일: 2025-07-25