onsemi NXH240B120H3Q1x1G Si/SiC 하이브리드 모듈
onsemi NXH240B120H3Q1x1G Si/SiC 하이브리드 전력 통합 모듈(PIM)에는 3채널 1200V IGBT + SiC 부스트 모듈과 NTC 서미스터가 포함되어 있습니다. 각 채널은 고속 스위칭 80A IGBT, 30A SiC 다이오드, 바이패스 다이오드 및 IGBT 보호 다이오드로 구성됩니다.통합 필드 스톱 트렌치 IGBT 및 SiC 다이오드는 낮은 전도 손실과 스위칭 손실을 제공하므로 높은 효율과 우수한 신뢰성을 구현합니다.
특징
- 1200V 울트라 필드 스톱 IGBT
- 낮은 역회복 및 고속 스위칭 SiC 다이오드
- 낮은 유도성 레이아웃
- 압입 핀/납땜 핀
- 서미스터
애플리케이션
- 태양광 인버터
- ESS(환경 응력 선별)
사양
- IGBT (T11, T21, T31)
- 최대 컬렉터-이미터 전압: 1200V
- 최대 게이트-이미터 전압: ±20V
- 최대 연속 컬렉터 전류: 92A
- 최대 펄스 컬렉터 전류: 276A
- 최대 전력 손실: 266W
- 보호 다이오드(D11, D21, D31)
- 최대 피크 반복 역방향 전압: 1200V
- 최대 연속 순방향 전류: 41A
- 최대 반복 피크 순방향 전류: 123A
- 최대 전력 손실: 54W
- 3000VRMS 최대 절연 테스트 전압
- 최대 연면 거리: 12.7mm
- 탄화 규소 부스트 다이오드(D12, D22, D32)
- 최대 피크 반복 역방향 전압: 1200V
- 최대 연속 순방향 전류: 37A
- 최대 반복 피크 순방향 전류: 111A
- 최대 전력 손실: 99W
- 바이패스 다이오드(D13, D23, D33)
- 최대 피크 반복 역방향 전압: 1200V
- 최대 연속 순방향 전류: 54A
- 최대 반복 피크 순방향 전류: 162A
- 최대 전력 손실: 64W
- -40~+150°C 작동 온도 범위
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게시일: 2024-01-26
| 갱신일: 2024-06-18