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onsemi NTTFSxD1N0xHL N-채널 PowerTrench® MOSFET

Onsemi NTTFSxD1N0xHL N-채널 PowerTrench® MOSFET은 매우 낮은 RDS(on) 를 위해 고성능 차폐식 게이트 MOSFET 기술을 적용했습니다. 이 onsemi 단일 채널 MOSFET은 낮은 스위칭 잡음/EMI 및 100% UIL 테스트를 거친 MSL1 견고한 패키지 설계를 제공합니다. NTTFSxD1N0xHL MOSFET은 무연, 무할로겐/무-BFR이며 RoHS 규격을 준수하는 WDFN8 패키지로 제공됩니다. 일반적으로 DC-DC 벅 컨버터, POL(point of load), 고효율 부하 스위치 및 로우 측 스위칭, ORing FET, DC-DC 전원 공급 장치 및 MV 동기식 벅 컨버터에 사용됩니다.

특징

  • 극히 낮은 RDS(on) 를 위한 고성능 차폐 게이트 MOSFET 기술
  • 낮은 전도 손실 및 스위칭 손실
  • MSL1 고강도 패키지 설계
  • 100% UIL 테스트 완료
  • 무연, 무할로겐/무BFR 및 RoHS 규격 준수

애플리케이션

  • DC-DC 벅 컨버터 및 DC-DC 전원 공급 장치
  • O링 FET 및 PoL(Point of Load)
  • 고효율 로드 스위치 및 로우 측 스위칭
  • MV 동기식 벅 컨버터

사양

  • NTTFS2D1N04HL
    • 10V VGS, 23A ID 에서 최대 2.1mΩ의 RDS(on) 
    • 4.5V VGS, 18A ID 에서 최대 3.3mΩ의 RDS(on)
  • NTTFS3D7N06HL
    • 10V VGS, 233A ID 에서 최대 3.9mΩ의 RDS (on)
    • 4.5V VGS, 18A ID 에서 최대 5.2mΩ의 RDS (on)
  • NTTFS5D9N08H
    • 10V VGS, 23A ID 에서 최대 5.9mΩ의 RDS(on)
    • 6V VGS, 12A ID 에서 최대 9mΩ의 RDS (on)

관련 MOSFET

onsemi PowerTrench® MOSFETs

Broad portfolio of N-channel and P-channel versions for low RDS(ON) switching performance.

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부품 번호 데이터시트 설명
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NTTFS5D9N08HTWG NTTFS5D9N08HTWG 데이터시트 MOSFET T8 80V DFN POWER CLIP 3X3
게시일: 2020-08-06 | 갱신일: 2024-06-05