onsemi NTH4L014N120M3P SiC(탄화 규소) MOSFET
onsemi NTH4L014N120M3P SiC(탄화 규소) MOSFET은 전력 애플리케이션에 맞게 최적화 되어 있습니다. Onsemi MOSFET은 네거티브 게이트 전압 드라이브와 함께 안정적으로 작동하고 게이트에서 스파이크를 차단하는 평면 기술이 특징입니다. 이 제품군은 18V 게이트 드라이브로 구동할 때 최적의 성능을 나타내지만 15V 게이트 드라이브로도 잘 작동합니다.
특징
- 표준 RDS(on) = 14 mΩ(VGS = 18 V)
- 낮은 스위칭 손실(표준 EON 1308 J, 74A, 800V)
- 100% 애버랜치(avalanche) 테스트 통과
- 이 장치는 RoHS 규격을 준수합니다.
애플리케이션
- 태양광 인버터
- 전기차 충전소
- UPS(무정전 전원 공급 장치)
- 에너지 저장 시스템
- SMPS(스위치 모드 전원 공급 장치)
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게시일: 2022-11-10
| 갱신일: 2024-07-22