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onsemi NSBCMXW NPN 바이어스 저항 트랜지스터

onsemi NSBCMXW NPN BRT(바이어스 저항 트랜지스터)는 단일 장치와 관련 외부 저항 바이어스 네트워크를 대체하도록 설계되었습니다. 이러한 onsemi BRT에는 직렬 베이스 저항과 베이스 이미터 저항의 두 가지 저항으로 구성된 모놀리식 바이어스 네트워크가 있는 단일 트랜지스터가 포함되어 있습니다. BRT는 모든 구성요소를 단일 장치에 통합하여 개별 구성요소를 제거합니다. BRT를 사용하면 시스템 비용과 보드 공간을 모두 줄일 수 있습니다. NSBCMXW 구성요소는 우수한 열 성능을 제공하는 XDFNW3 패키지에 들어 있습니다. 이 트랜지스터는 기판 공간과 신뢰성이 중요한 표면 실장 애플리케이션에 이상적입니다.

특징

  • 내장형 바이어스 저항기
  • 무료 PNP 유형 사용 가능(NSBAMXW)
  • XDFNW3 케이스 521AC 패키지, 0.44mm(최대)의 낮은 장착 높이
  • 최적의 AOI(자동 광학 검사)를 위한 습식 플랭크 패키지
  • Class 1B ESD(정전기 방전) 등급(HBM)
  • NSV 접두사 변형 제품(고유한 사이트 및 제어 변경 요구 사항이 필요한 자동차 및 기타 애플리케이션용), AEC-Q101 인증 및 PPAP 가능
  • 무연, 무할로겐/무BFR, RoHS 준수

애플리케이션

  • 디지털 스위칭
  • IC 입력 제어

사양

  • 50V(최대) 콜렉터-이미터/베이스 전압
  • 최대 콜렉터 전류: 100 mA
  • 100nA(최대) 컬렉터-베이스 차단 전류
  • 500nA(최대) 콜렉터-이미터 차단 전류
  • 0.1~0.5mA(최대) 이미터-베이스 차단 전류 범위
  • 0.25V(최대) 콜렉터-이미터 포화 전압
  • 0.3~0.8V(최대) 입력 전압(꺼짐) 범위
  • 0.9~12V(표준) 입력 전압 범위
  • 0.2V(최대) 출력 전압(온 상태)
  • 4.9V(최소) 출력 전압(오프 상태)
  • 6.1~61.1kΩ(최대) 바이어스 저항 범위
  • 열
    • 450mW(최대) 총 전력 손실
    • 145°C/W 접합부-주변 열 저항
    • -65~+150°C 접합 온도 범위

핀 연결부

기계 도면 - onsemi NSBCMXW NPN 바이어스 저항 트랜지스터

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onsemi NSBAMXW PNP 바이어스 저항기 트랜지스터

단일 장치와 관련 외부 저항기 바이어스 네트워크를 대체하도록 설계되었습니다.

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게시일: 2025-08-29 | 갱신일: 2025-09-08