onsemi NCP51561 5kVRMS 절연 이중 채널 게이트 드라이버

onsemi NCP51561 5kVRMS 절연 이중 채널 게이트 드라이버는 전력 MOSFET 및 SiC MOSFET 전력 스위치를 구동하는 빠른 스위칭을 위해 설계되었습니다. 4.5A/9.0A NCP51561 게이트 드라이버는 짧은 정합 전파 지연을 제공합니다. 2개의 독립적인 및 5kV_RMS(정격 UL1577) 갈바닉 절연 게이트 드라이버 채널은 로우 측 2개, 하이 측 2개 스위치 또는 데드타임을 프로그래밍할 수 있는 하프 브리지 드라이버의 모든 구성에 사용할 수 있습니다. 로우로 설정된 경우 활성화 핀이 양쪽 출력을 동시에 차단합니다. NCP51561 게이트 드라이버는 게이트 드라이버 및 활성화 기능을 위한 독립적인 부족전압 록아웃과 같은 다른 중요한 보호 기능을 통합했습니다.

onsemi NCP51561 5kVRMS 절연 이중 채널 게이트 드라이버는 -40~+150°C의 넓은 접합 온도 범위를 갖는 SOIC-16 WB 패키지로 제공됩니다.

특징

4.5A 피크 소스, 9A 피크 싱크 출력 전류 성능
유연한 이중 로우 측, 이중 하이 측 또는 하프 브리지 게이트 드라이버
두 출력 드라이버 모두에 대한 독립적인 UVLO 보호
6.5~30V 출력 공급 전압(MOSFET의 경우 5V 및 8V 임계값, SiC의 경우 13V 및 17V UVLO 임계값).
36ns 표준 전파 지연
- 채널당 5ns의 최대 지연 정합
- 5ns 최대 펄스폭 왜곡
사용자 프로그래밍 가능 입력 로직
- ANB를 통한 단일 또는 이중 입력 모드
- 활성화 또는 사용해제 모드

CMTI(공통 모드 과도응답 내성) >200V/ns
사용자 프로그래밍 가능 데드타임
절연 및 안전
- 1분 동안 5kV_RMS절연(UL1577 요구 사항에 따름) 및 출력 채널간 1,500V 피크 차동 전압
- 8,000VPK 강화 절연 전압(VDE0884-11 요구 사항에 따름)
SOIC-16 WB 패키지
무연