onsemi NCP51560 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버

onsemi NCP51560 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버는 4.5A 피크 소스 및 9A 피크 싱크 출력 전류 성능을 제공합니다. NCP51560은 전력 MOSFET 및 SiC MOSFET 전력 스위치를 구동하기 위한 빠른 스위칭을 위해 설계되었습니다. 장치에 단락 및 정합 전파 지연이 특징입니다.

Onsemi NCP51560 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버는 2개의 갈바닉 절연형 게이트 드라이버 채널에 의해 제공되는 최대 1500VDC의 기능 작동 전압을 갖추고 있습니다. 이 채널 덕분에 2개의 로우 측, 2개의 하이 사이드 스위치 또는 데드타임을 프로그래밍할 수 있는 하프 브리지 드라이버로 다양하게 구성할 수 있습니다.

NCP51560은 게이트 드라이버 및 데드타임 조정 기능을 위한 독립적인 부족전압 록아웃을 포함한 다른 필수 보호 기능을 구현합니다.

특징

유연한 듀얼 로우 사이드, 듀얼 하이 사이드 또는 하프 브리지 게이트 드라이버
4.5A 피크 소스, 9A 피크 싱크 출력 전류 성능
두 출력 드라이버 모두에 대한 독립적인 UVLO 보호
MOSFET의 경우 6.5V~30V, SiC의 경우 5V~8V UVLO에서 13V~17V의 출력 공급 전압, 임계값
CMTI(공통 모드 과도응답 내성) >200V/ns
사용자 프로그래밍 가능한 데드 타임
전파 지연: 38ns(표준)
- 5ns(최대) 채널당 지연 정합
- 5ns 최대 펄스 폭 왜곡

사용자 프로그래밍 가능한 입력 로직
- 비활성 모드
절연 및 안전
- 1분 동안 5kV_rms 절연(UL1577 요구 사항에 따름)
- 8000VPK 강화된 절연 전압(VDE0884−11 요구 사항에 따름)
- CQC 승인(GB4943.1-2011 준수)
- SGS FIMO 인증, IEC 62386-1 준수
무연 장치