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onsemi NCD57080 절연 고전류 게이트 드라이버

Onsemi NCD57080 절연 고전류 게이트 드라이버는 3.75kVrms 내부 갈바닉 절연을 지원하는 고전류 단일 채널 IGBT 게이트 드라이버입니다. 이러한 게이트 드라이버는 고전력 애플리케이션에서 높은 시스템 효율성과 안정성을 제공하도록 설계되었습니다. NCD57080 드라이버는 정확한 매칭, 높은 과도 및 전자기 내성, 넓은 바이어스 전압 범위, 넓은 입력 전압 범위로 전파 지연이 짧습니다. Onsemi NCD57080 절연 고전류 게이트 드라이버는 시스템 효율성과 PWM 신호 무결성을 개선하고 시스템 설계 유연성을 제공합니다. 일반적인 애플리케이션으로는 무정전 전원 공급 장치(UPS), 모터 제어, 산업용 전원 공급 장치, HVAC, 태양광 인버터 등이 있습니다.

Onsemi NCD57080 절연 고전류 게이트 드라이버는 3.3V~20V의 광범위한 입력 바이어스 전압 및 신호 레벨을 지원합니다. 이러한 장치는 좁은 바디(SOIC-8) 패키지로 제공됩니다.

특징

  • 높은 피크 출력 전류 (±6.5A)
  • 낮은 클램프 전압 강하로 스퓨리어스 게이트 턴온을 방지하기 위해 마이너스 전원 공급 장치가 필요 없음(NCD57080A만 해당)
  • 정확한 매칭으로 짧은 전파 지연
  • 단락 중 IGBT 게이트 클램핑
  • IGBT 게이트 액티브 풀다운
  • 바이어스 유연성을 위한 엄격한 UVLO 임계값
  • 음의 VEE2 를 포함한 넓은 바이어스 전압 범위 (NCD57080B)
  • 3.3V, 5.0V 및 15.0V 로직 입력
  • 75kVrms 갈바닉 절연
  • 높은 과도 내성
  • 높은 전자기 내성
  • 컴팩트하고 좁은 바디의 SOIC-8 패키지
  • 납 무함유, 할로겐 무함유, BFR 무함유 및 RoHS 준수

애플리케이션

  • UPS
  • 모터 제어
  • 산업용 전원 공급 장치
  • HVAC
  • 태양광 인버터

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게시일: 2020-05-28 | 갱신일: 2024-05-23