onsemi NCV57001 절연형 고전류 IGBT 게이트 드라이버
onsemi NCV57001 절연형 고전류 IGBT 게이트 드라이버(내부 갈바닉 절연 포함)는 고전력 애플리케이션에서 높은 시스템 효율과 신뢰성을 제공하도록 설계되었습니다. NCV57001은 보완 입력, 오픈 드레인 오류 및 대기 출력, 액티 브 밀러 클램프, 정확한 UVLO, DESAT 보호 및 DESAT시 소프트 턴오프 기능을 포함한 특징이 있습니다.
특징
- IGBT 밀러 플래토 전압에서 고전류 출력(+4/-6A)
- 향상된 IGBT 구동을 위한 낮은 출력 임피던스
- 정확한 매칭으로 짧은 전파 지연
- 스퓨리어스 게이트 턴온을 방지하기 위한 액티브 밀러 클램프
- 프로그래밍 가능 지연으로 DESAT 보호
- DESAT를 위한 네거티브 전압(-9V로 하향) 성능
- IGBT 합선 시 소프트 턴 오프
- 합선 시 IGBT 게이트 클램핑
- IGBT 게이트 액티브 풀다운
- 바이어스 유연성을 위한 엄격한 UVLO 임계값
- 네거티브 VEE2를 포함한 넓은 바이어스 전압 범위
- 입력 공급 전압: 3.3V~5V
- AEC-Q100 인증을 위해 설계됨
- 5,000V 갈바닉 절연(UL1577 요구 조건 충족)
- 1,200V 작동 전압(VDE0884-10 요구 사항에 따름)
- 높은 과도 내성
- 높은 전자기 내성
- 무연, 무할로겐이며 RoHS를 준수함
애플리케이션
- 자동차용 전원 공급 장치
- HEV/EV 파워트레인
- OBC
- BSG
- EV 충전기
- PTC 히터
단순 블록 선도
간소화된 애플리케이션 계통도
Additional Resources
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게시일: 2019-04-30
| 갱신일: 2024-01-31