NXP Semiconductors MRFX1K80 RF 전력 LDMOS 트랜지스터
NXP Semiconductors MRFX1K80 RF 전력 LDMOS 트랜지스터는 높은 RF 출력, 우수한 견고성 및 열 성능을 결합한 소자입니다. MRFX1K80 트랜지스터는 1~470MHz 범위의 애플리케이션을 위해 65V CW(연속파)에서 1,800W를 공급하도록 설계되었고, 65:1의 VSWR(전압 정재파 비)을 처리할 수 있습니다. MRFX1K80 RF 전력 LDMOS 트랜지스터의 높은 전압으로 더 높은 출력 전력을 제공하여 조합할 트랜지스터의 수를 줄임으로써 전력 증폭기의 복잡성과 크기를 줄일 수 있습니다. 또한, 전압이 높아 시스템의 전류가 낮아져 DC 전원 공급 장치에 미치는 스트레스를 제한하고 자기 방사를 줄입니다. MRFX1K80은 이전 세대의 NXP LDMOS 트랜지스터와도 핀 호환 가능하므로, RF 설계자가 기존의 PCB(인쇄 회로 기판)을 재사용하여 출시 기간을 앞당길 수 있습니다. MRFX1K80 RF 전력 LDMOS 트랜지스터는 두 가지 패키지 유형으로 제공됩니다. MRFX1K80H는 열 저항이 0.09ºC/W로 낮은 NI-1230 공기층 세라믹 패키지에 들어 있습니다. MRFX1K80N은 OM-1230 오버몰드 플라스틱 패키지에 들어 있으며, 보통 열 저항이 30% 더 낮습니다.
The high voltage of the MRFX1K80 RF Power LDMOS Transistor enables higher output power, which helps decrease the number of transistors to combine, simplifying power amplifiers complexity and reducing their size. The high voltage also lowers the current in the system, limiting the stresses on DC power supplies and reducing magnetic radiation.
The MRFX1K80 is also pin-to-pin compatible with previous generation NXP LDMOS transistors, making it possible for RF designers to reuse existing printed circuit board (PCB) designs for a shorter time to market.
The MRFX1K80 RF Power LDMOS Transistor is offered in two package types. The MRFX1K80H is housed in a NI-1230 air cavity ceramic package, with a low thermal resistance of 0.09ºC/W. The MRFX1K80N is housed in an OM-1230 Over-Molded plastic package, and will typically offer a 30% lower thermal resistance.
Features
- Based on 65V LDMOS technology
- Wide 1MHz to 470MHz frequency range
- Characterized from 30V to 65V for extended power range
- High breakdown voltage for enhanced reliability and higher efficiency architectures
- High drain-source avalanche energy absorption capability
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
- Characterized with series equivalent large-signal impedance parameters
- VSWR >65:1 at all phase angles
- 24dB power gain @ 230MHz (typical)
- 74% Efficiency (typical)
- Low thermal resistance
- RoHS compliant
애플리케이션
- Industrial, Scientific, Medical (ISM):
- Laser generation
- Plasma etching
- Magnetic Resonance Imaging (MRI)
- Diathermy, skin laser, RF ablation
- Industrial heating, welding and drying systems
- Particle accelerators
- Broadcast:
- Radio broadcast (FM/DAB)
- VHF TV broadcast
- Aerospace:
- VHF omnidirectional range (VOR)
- HF and VHF communications
- Weather radar
- Mobile Radio:
- VHF base station