NXP Semiconductors AFIC901N RF 기준 회로
NXP Semiconductors AFIC901N RF 기준 회로를 사용하면 NXP AFIC901N RF LDMOS 전력 증폭기의 빠른 평가 및 프로토타이핑이 가능합니다. AFIC901NT1은 1.8~1,000MHz 범위의 모든 주파수에서 최적의 성능을 제공하도록 설계된 2단계 고 이득 증폭기입니다. 이 장치의 높은 이득, 견고성 및 광대역 성능은 광범위한 산업, 의료 및 통신 응용 분야에서 사전 드라이버 및 드라이버로 사용하기에 이상적입니다.
특징
- AFIC901N RF LDMOS 광대역 통합 전력 증폭기
- 옵션
- 136~174MHz, 1W 출력, 31dB 이득
- 350~520MHz, 8W 출력, 39dB 이득
- 760~870MHz, 1W 출력, 25dB 이득
- ESD 보호 기능 내장
VHF 성능
UHF 성능
협대역 성능
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시장 출시 시간을 단축하기 위해 프로토타이핑 RF 애플리케이션을 가속화하도록 설계된 편리한 사용 솔루션.
게시일: 2019-11-18
| 갱신일: 2023-10-17