Nexperia PSMN N-채널 30V MOSFET
Nexperia PSMN N-채널 30V MOSFET은 LFPAK 패키지에서 낮은 RDSon과 낮은 IDSS 누설 전류를 제공하는 NextPowerS3 기술이 특징입니다. LFPAK 패키지는 높은 신뢰성을 제공하고 175°C의 온도에 적합하게 인증받은 패키지입니다. 이런 MOSFET은 동급 최고의 SOA(Safe Operating Area)를 포함합니다. PSMN MOSFET은 25°C에서 누설 전류가 1μA 미만으로 낮고 4.5V 게이트 드라이브용으로 최적화되어 있습니다. 이런 MOSFET은 접합 온도와 보관 온도의 범위가 모두 -55~175°C입니다. PSMN MOSFET은 AC-DC 및 DC-DC 애플리케이션에서 핫-스왑, 전력 OR-ing, 배터리 보호, 브러시 및 BLDC 모터 제어, 동기식 정류에 사용하기에 이상적입니다.
특징
- 낮은 RDSon에 최적화됨
- NextPowerS3 기술
- 동급 최고 수준의 SOA
- 25°C에서 1µA 미만의 낮은 누설 전류
- 175°C의 적합하게 인증된 고신뢰성 LFPAK 패키지
- 시각적 솔더 검사용으로 노출된 리드
- 낮은 EMI 설계를 위한 낮은 스파이크와 공명
사양
- 4.5V 게이트 드라이브에 최적화됨
- 보관 온도 범위: -55~175°C
- 접합 온도 범위: -55~175°C
- 25°C ≤ Tj ≤ 175°C에서:
- 드레인-소스 전압: 30VDS
- 드레인-게이트 전압: 30VDGR
애플리케이션
- 핫 스왑
- 전력 OR-ing
- DC 스위치/부하 스위치
- 배터리 보호
- 브러시 및 브러시리스 모터 제어
- AC-DC 및 DC-DC 애플리케이션의 동기식 정류
전력 OR-ing 애플리케이션 다이어그램
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Nexperia NextPowerS3 MOSFET
초접합 기술을 사용하는 고성능 25 V, 30 V 및 40 V MOSFET 플랫폼입니다.
게시일: 2019-08-27
| 갱신일: 2023-05-02