특징
- 초저손실
- 고주파 동작
- MOSFET의 턴오프 테일 전류 제로
- 정상적으로 꺼진 상태의 고장 방지 장치 동작
- 질화알루미늄 기판
- 선택 사항인 사전 도포된 열 인터페이스 재료
- 소형 및 경량 시스템 구현
- 1500VDC 시스템을 위한 2단계 변환 가능
- SiC의 낮은 스위칭 및 전도 손실로 인한 시스템 효율 향상
- 열 요구 사항 및 시스템 비용 절감
- Gen 4 옵션 제공
애플리케이션
- DC 고속 충전기
- 에너지 저장 시스템
- 고효율 컨버터/인버터
- 재생 에너지
- 스마트 그리드/그리드 연결 분산 생성
- 태양광 인버터
비디오
회로 선도
추가 자료
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| 부품 번호 | 데이터시트 | 설명 |
|---|---|---|
| CAB5R0A23GM4 | ![]() |
디스크리트 반도체 모듈 SiC, Module, 5mohm, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial |
| CAB5R0A23GM4T | ![]() |
디스크리트 반도체 모듈 SiC, Module, 5mohm, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM |
| CAB6R0A23GM4 | ![]() |
디스크리트 반도체 모듈 SiC, Module, 6mohm, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial |
| CAB6R0A23GM4T | ![]() |
디스크리트 반도체 모듈 SiC, Module, 6mohm, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM |
| CAB7R5A23GM4T | ![]() |
디스크리트 반도체 모듈 SiC, Module, 7.5mohm, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM |
| CAB7R5A23GM4 | ![]() |
디스크리트 반도체 모듈 SiC, Module, 7.5mohm, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial |
게시일: 2024-08-29
| 갱신일: 2025-03-12


