Wolfspeed HM3 고성능 하프 브리지 모듈
Wolfspeed HM3 고성능 하프 브리지 모듈은 로우 프로파일 설치 공간(110mm x 65mm x 12.2mm)에 탑재되는 완전 탄화규소, 스위칭 최적화, 저인덕턴스 하프 브리지 모듈입니다. HM3 구성 요소는 스위칭에 최적화된 3세대 SiC MOSFET 기술을 구현합니다. 경량 62mm 호환 ALSiC 베이스플레이트를 사용하여 시스템 개장이 가능합니다. 다른 특징으로는 +175°C의 접합 작동 온도와 고신뢰성 질화규소 절연체를 들 수 있습니다. HM3 고성능 하프 브리지 모듈은 철도/견인, 태양광, EV 충전기 및 산업 자동화/테스트 애플리케이션에 이상적입니다.
특징
- 62Mm 호환 경량 AlSiC 베이스 플레이트가 있는 가볍고 콤팩트한 폼 팩터로 시스템 개조 가능
- SiC의 낮은 스위칭 및 전도 손실로 인해 시스템 효율이 향상되었습니다.
- 고신뢰성 재료 선택
- 낮은 인덕턴스 및 로우 프로파일
- 높은 접합 온도(+175°C) 작동
- 스위칭에 맞게 최적화된 3세대 SiC MOSFET 기술 구현
- 고신뢰성 질화 규소 절연체
사양
- 1,200V 또는 1,700V 드레인-소스 전압
- 게이트-소스 전압
- -8~+19V 최대 값
- -4~+15V 권장 작동 값
- 스위칭 조건에서 최대 -40~+175°C의 가상 접합 온도
- MOSFET
- 1,200V 또는 1,700V 드레인-소스 항복 전압
- 0.47Ω 또는 0.8Ω 내부 게이트 저항
- 정전용량
- 43.1nF 또는 79.4nF 입력
- 2.76nF 또는 2.9nF 출력
- 70.7~90pF 역방향 전송 정전용량
- 충전
- 448nC 또는 79.4nC 게이트-소스
- 539nC 또는 924nC 게이트-드레인
- 1590nC 또는 2724nC 총 게이트
- 다이오드
- 28ns 또는 49ns 역방향 회복 시간
- 4.5µC 또는 175µC 역방향 회복 충전
- 270A 또는 540A 피크 역방향 회복 전류
- 모듈
- 패키지 저항
- 106.5µΩ M1
- 126.3µΩ M2
- 4.8nH~4.9nH 표류 인덕턴스
- +125°C 케이스 온도
- 179~180g 무게
- 4kV 케이스 절연 전압
- 패키지 저항
애플리케이션
- 철도 및 견인
- 태양광
- EV 충전기
- 산업 자동화 및 테스트
관련 게이트 드라이버
Wolfspeed HM3 이중 채널 차동 절연 게이트 드라이버
HM3 1,200V 고성능 하프 브리지 모듈과 함께 사용하도록 최적화되었습니다.
게시일: 2020-07-28
| 갱신일: 2025-06-20