특징
- 업계 표준 62mm 설치 공간, 시스템 개조 가능
- 다양한 산업용 애플리케이션 요구 사항에 맞게 사용 가능한 광범위한 정격 전류 및 전압 포트폴리오
- 고습 작동 THB-80(HV-H3TRB)
- 초저손실, 고주파 작동
- 다이오드에서 역회복 제로
- MOSFET에서 턴 오프 테일 전류 제로
- 상시 오프, 페일 세이프 장치 작동
- SiC의 낮은 스위칭 및 전도 손실 덕분에 시스템 효율 향상
- 62mm IGBT 패키지에서 전환하는 데 필요한 최소한의 개발로 시장 출시 시간 단축
- 구리 기저판 및 질화 알루미늄 절연체
애플리케이션
- 유도 가열
- 모터 드라이브
- 재생가능 에너지
- 철도 보조 및 트랙션
- EV 고속 충전
- UPS 및 SMPS
사양
- 1,200V 또는 1,700V 드레인 소스 전압 옵션
- -8~+19V 게이트 소스 전압 범위, -4~+15V 범위 권장
- 175~630A 표준 DC 연속 드레인 전류 범위
- 236A 632A 표준 DC 소스 드레인 전류 범위(쇼트키 다이오드)
- 350~1,060A 표준 펄스 드레인 전류 범위
- 789~2,000W 표준 전력 손실 범위
- -40 °C ~ +150 °C 작동 온도 범위
계통도 및 핀 아웃
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| 부품 번호 | 데이터시트 | 설명 |
|---|---|---|
| HAS310M17BM3 | ![]() |
디스크리트 반도체 모듈 SiC, Module, 310A, 1700V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment |
| HAS530M12BM3 | ![]() |
디스크리트 반도체 모듈 SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment |
| HAS350M12BM3 | ![]() |
디스크리트 반도체 모듈 SiC, Module, 350A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment |
| HAS175M12BM3 | ![]() |
디스크리트 반도체 모듈 SiC, Module, 175A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment |
게시일: 2024-07-12
| 갱신일: 2024-07-25


