Wolfspeed DM SiC 하프 브리지 모듈

Wolfspeed's DM SiC Half-Bridge Modules offer high-current capability in a very low mass and low volume form factor. These modules allow designers to develop high-power density silicon carbide converters for weight and space-constrained applications. The DM modules also feature rugged interconnects and high-reliability power substrates to address demanding markets. The DM4 module includes Gen 4 technology that reduces the cosmic FIT rate for operations at higher altitudes. Typical applications include e-mobility inverters, EV chargers, high-efficiency converters/inverters, and renewable energy.

특징

  • 900VDS 드레인-소스 전압
  • 초저손실 및 경량 AlSiC 베이스플레이트
  • 고주파 작동
  • 높은 전력 밀도 설치 공간
  • 1 163 W 전력 손실
  • 작동 접합 온도 범위: -40 °C ~ 175 °C
  • 3세대 SiC MOSFET 기술 구현
  • 질화규소 절연체

애플리케이션

  • E-모빌리티 인버터
  • EV 충전기
  • 고효율 컨버터/인버터
  • 재생 에너지

치수 다이어그램

기계 도면 - Wolfspeed DM SiC 하프 브리지 모듈

정의

성능 그래프 - Wolfspeed DM SiC 하프 브리지 모듈
게시일: 2024-06-14 | 갱신일: 2025-04-14