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Winbond 저전력 HyperRAM®

Winbond 저전력 HyperRAM®은 내부가 8-뱅크 메모리로 구성된 고속 SDRAM 장치가 있는 모바일 DRAM이며 명령/주소(CA) 버스를 통해 DDR(더블 데이터 전송 속도) 아키텍처를 사용합니다. 이 HyperRAM은 핀 수가 적고, 전력 소비량이 적으며, 최종 장치의 성능을 향상시킬 수 있는 손쉬운 제어를 특징으로 합니다. 새로운 IoT 에지 장치와 인간-기계 인터페이스 장치는 크기, 전력 소비 및 성능 측면에서 새로운 기능을 필요로 합니다. 이 HyperRAM은 SDRAM의 대기 모드와 크게 다른 하이브리드 절전 모드에서 1.8V에서 45mW 전력을 제공합니다. HyperRAM은 HyperBus 인터페이스를 지원하며 자동차 전자 제품, 산업용 4.0 및 스마트 홈 애플리케이션의 급속한 증가를 해결하기위한 솔루션입니다.

For IoT applications, various design considerations such as low cost, low power consumption, and computing efficiency must be met to gain widespread adoption in the market. From the overall system design and product life perspective, HYPERRAM™ has become an ideal choice for emerging IoT devices.

특징

  • HyperBus 인터페이스
  • 공급 전원:
    • 1.7V~1.95V
    • 2.7V~3.6V
  • 최대 클록 속도:
    • 166MHz
    • 200MHz
  • DDR(더블 데이터 전송 속도): 최대 333MT/s 또는 400MT/s
  • 클록:
    • 차동 클록 (CK/CK#)
  • 칩 선택(CS#)
  • 8비트 데이터 버스 (DQ[7:0])
  • 읽기-쓰기 데이터 스트로브 (RWDS):
    • 양방향 데이터 스트로브 / 마스크
    • 모든 트랜잭션을 시작할 때 새로 고침 지연 시간을 나타내는 출력
    • 읽기 트랜잭션 중 읽기 데이터 스트로브로 출력
    • 쓰기 트랜잭션 중 쓰기 데이터 마스크로 입력
  • 작동 온도: -40~85°C
  • 구성 가능한 출력 드라이브 강도
  • 구성 가능한 버스트 특성
  • 래핑 버스트 길이:
    • 16바이트 (8 클록)
    • 32바이트 (16 클록)
    • 64바이트 (32 클록)
    • 128바이트 (64 클록)
  • 절전 모드:
    • 하이브리드 수면 모드
    • 딥 파워 다운

애플리케이션

  • 자동차용 전자 장치
  • 인더스트리 4.0
  • 스마트홈 가전
  • IoT 장치
  • 인간-기계 인터페이스 장치

블록 선도

블록 선도 - Winbond 저전력 HyperRAM®
게시일: 2020-03-11 | 갱신일: 2025-01-06