Vishay / Siliconix TrenchFET Gen IV MOSFET
Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFET은 차세대 TrenchFET® 전력 MOSFET 제품군입니다. TrenchFET Gen IV MOSFET은 PowerPAK® SO-8 및 1212-8S 패키지로 업계에서 낮은 온저항과 낮은 총 게이트 전하를 제공합니다. 이 TrenchFET Gen IV MOSFET은 극도로 낮은 RDS(on)이 특징이며 전력 소비 감소를 위해 전도 손실을 낮춥니다. TrenchFET MOSFET은 또한 1/3의 크기이며 비슷한 효율을 자랑하는 공간 절약형 PowerPAK® 1212-8 패키지와 함께 제공됩니다. 일반적인 애플리케이션으로는 고전력 DC / DC 컨버터, 동기식 정류, 태양광 마이크로인버터 및 모터 드라이브 스위치가 있습니다.
TrenchFET MOSFET은 -200V ~ 800V의 항복 전압 및 1.2V의 넓은 범위의 게이트 구동 전압과 같은 다양한 고급 패키지로 광범위한 전력 MOSFET에서 사용할 수 있습니다. 이러한 MOSFET는 부하 스위치 애플리케이션과 고속 전환을 위한 최저 게이트 전하량 및 커패시턴스에 대해 최저 RDS(on)로 최적화되었습니다. MOSFET은 저전압 및 중전압 TrenchFET로 차별화됩니다.
저전압 TrenchFET®은 고효율, 향상된 전력 밀도 및 공간 절약형 패키지를 제공합니다. 해당 제품은 가전, 드론, 컴퓨터 및 통신 장비에 이상적입니다.
중전압 TrenchFET®은 레이아웃 최적화를 가능하게 하고, 부품 수를 줄이며, 최고 효율을 가능하게 하는 소형의 고효율 장치가 특징입니다. 해당 제품은 전원 공급 장치, 모터 드라이브 제어 및 재생 에너지에 이상적입니다.
Vishay Siliconix SkyFET MOSFET은 Vishay Siliconix TrenchFET Gen IV 전력 MOSFET 제품의 일부입니다.
특징
- 차세대 기술은 다음과 같은 몇 가지 주요 사양을 최적화합니다:
- DS(on)S=4.5V
- VGS=10V에서 0.001Ω의 초저 RDS(on)까지 강하
- 초저 Qgd 및 특저 Qgd/Qgs 비율:<0.5
- Qgd/Qgs 비율이 0.3까지 강하
- CdV/dt 게이트 결함에 대한 내성 향상
애플리케이션
- 동기식 정류
- 1차면 스위치
- DC/DC 컨버터
- 전기통신용 브릭
- PC
- 서버
- 어댑터 및 충전 스위치
- 부하 스위치
- 모터 드라이브 스위치
- 산업용
전력 MOSFET 인포그래픽
저전력 MOSFET 인포그래픽
중전압 전력 MOSFET 인포그래픽
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비디오
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