Vishay / Siliconix PowerPAK® 10 x 12의 초접합 MOSFET
PowerPAK® 10 x 12 패키징으로 제공되는 Vishay/Siliconix 초접합 MOSFET은 전력 기술이 특징입니다. 이 전력 MOSFET은 전력 효율을 최적화하는 반면, RDS (on)는 전도 중 전력 손실을 최소화하여 효율적인 작동을 보장합니다. 이 구성 요소는 100% Rg 및 UIS 테스트를 거쳤습니다. Vishay/Siliconix 초접합 MOSFET은 전력 손실과 낮은 열 저항(RthJC)을 향상시킵니다. 일반적으로 동기식 정류, 자동화 및 전원 공급 장치에 사용됩니다.
특징
- 우수한 열 성능
- 최신 E 시리즈 기술
- 낮은 FOM(성능 지수) Ron x Qg
- 낮은 유효 정전용량(Co(er))
- 시스템 효율 향상
애플리케이션
- 전원 공급 장치
- 데이터 센터
- 통신
- 게임용 PC
- 태양광/PV 인버터
- 자동화
사양
- 로우 프로파일 설계: 9.9 mm x 11.7 mm x 2.3 mm
- TO-Leadless 패키지
- 통합 켈빈 소스 연결
인포그래픽
추가 자료
주요 MOSFET
Vishay / Siliconix TrenchFET Gen IV MOSFET
4.5V에서 최저 1.35mΩ의 업계 최저 온저항을 제공합니다.
Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen V 전력 MOSFET(VDS 포함)
매우 낮은 RDS x Qg FOM(성능 지수)으로 전력 변환 효율을 높입니다.
Vishay / Siliconix SiJK140E N-채널 40 V (D-S) MOSFET
동기식 정류 및 자동화에 이상적인 TrenchFET® Gen V 전력 기술이 특징입니다.
게시일: 2025-05-09
| 갱신일: 2025-05-22