Vishay SiRA20DP N채널 25V MOSFET
Vishay SiRA20DP N채널 25V MOSFET의 특징은 총 게이트 전하(Qg), 게이트 드레인 전하(Qgd), Qgd/게이트 소스 전하(Qgs) 비율이 최적화되어 있다는 점이며, 이러한 최적화를 통해 스위칭 관련 전력 손실을 저감합니다. SiRA20DP는 100% Rg 및 UIS 테스트를 거친 TrenchFET® Gen IV 소자입니다. 대표적인 애플리케이션으로는 동기식 정류, 고전력밀도 DC/DC, 동기식 벅 변환기, OR-ing 방식, 부하 전환, 배터리 관리가 있습니다.
특징
- TrenchFET Gen IV power MOSFET
- Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching-related power loss
- 100% Rg and UIS tested
애플리케이션
- Synchronous rectification
- High power density DC/DC
- Synchronous buck converter
- OR-ing
- Load switching
- Battery management
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Vishay / Siliconix TrenchFET Gen IV MOSFET
4.5V에서 최저 1.35mΩ의 업계 최저 온저항을 제공합니다.
게시일: 2017-01-16
| 갱신일: 2022-06-22