Vishay / Siliconix SiEH4800EW 80 V TrenchFET® Gen IV N- 채널 MOSFET
Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV N-채널 MOSFET은 고효율 전력 스위칭 애플리케이션용으로 설계되었습니다. 소형 PowerPAK® 8mmx8mm BWL(본드 무선) 패키지로 제공되는 SiEH4800EW은 10V VGS에서 0.00115Ω의 매우 낮은 온 상태 저항을 제공하여 전도 손실을 최소화하고 열 성능을 개선합니다. 최대 연속 드레인 전류가 260 A이고 게이트 전하가 117nC로 낮은 Vishay/Siliconix MOSFET은 빠른 스위칭 및 고전류 처리에 맞게 최적화 되어 있어 동기식 정류, 모터 드라이브 및 고성능 DC-DC 변환기에 사용하기에 이상적입니다. 견고한 설계 및 고급 트렌치 기술은 까다로운 환경에서 안정적 인 작동을 보장합니다.
특징
- TrenchFET Gen IV 전력 MOSFET
- 초저 1 mm 프로파일의 공간 절약형 PowerPAK 8 mm x 8 mm BWL 패키지로 제공되며 기생 인덕턴스를 최소화하면서 전류 성능을 극대화합니다.
- 습식 플랭크 패키지는 납땜성을 향상시키는 동시에 납땜 부분 신뢰성을 쉽게 육안으로 검사할 수 있음
- 소스 패드 납땜 가능 영역을 늘리고보다 견고한 설계를 지원하기 위해 퓨즈 리드 구현
- 0.36°C/W(최대)의 낮은 RthJC로 열 성능 개선
- 10 V에서 0.88 mΩ ( 표준)까지 낮은 온 저항으로 전도로 인한 전력 손실 최소화로 효율 증대
- 매우 낮은 RDS x Qg FOM(성능 지수)
- 고온 작동: 최대 +175 °C
- D2PAK (TO-263)보다 50% 더 작은 설치 공간
- 100% Rg 및 UIS 테스트 완료
- 완전 무연, 무할로겐 및 RoHS 규격 준수
애플리케이션
- 동기식 정류
- O링
- 모터 드라이브 제어
- 배터리 관리
사양
- Static
- 80 V 최대 드레인-소스 항복 전압
- 게이트-소스 임계 전압: 2 V ~ 4 V
- 최대 게이트 소스 누설: ± 100nA
- 150 S 표준 순방향 트랜스 컨덕턴스
- 동적
- 29 nF의 입력 정전용량
- 표준 출력 정전 용량: 1 650 pF
- 역 전송 정전 용량: 42 pF ( 표준)
- 게이트 저항 범위: 0.24 Ω ~ 2.4 Ω
- 45 ns ~ 60 ns 최대 턴온 지연 시간 범위
- 최대 상승 시간 범위: 30 ns ~ 50 ns
- 130 ns ~ 140 ns 최대 턴 오프 지연 시간 범위
- 하강 시간: 40 ns
- 드레인-소스 바디 다이오드
- 379A(최대) 연속 소스 드레인 다이오드 전류(TC=+25°C)
- 700 A 최대 펄스 다이오드 순방향 전류
- 1.1 V 최대 바디 다이오드 전압
- 최대 바디 다이오드 역방향 회복 시간: 165 ns
- 500nC 최대 바디 다이오드 역방향 회복 충전
- 역방향 회복 하강 시간: 60 ns ( 표준)
- 역 회복 상승 시간: 23 ns ( 표준)
- ±20 V 최대 게이트-소스 전압
- 최대 연속 드레인 전류(TJ=+175°C)
- 29A(TA=+70°C)~34A(TA=+25°C)
- 319A(TC=+70°C)~381A(TC=+25°C)
- 단일 펄스 애벌랜치
- 최대 전류: 87 A
- 최대 에너지: 380mJ
- 최대 전력 발산
- 2.4W(TA=+70°C)~3.4W(TA=+25°C)
- 292W(TC=+70°C)~417W(TC=+25°C)
- 작동 접합 온도 범위: -55 °C ~ +175 °C
- 최고 피크 납땜 온도: +260 °C
- 최대 열 저항
- 44°C/W 접합-주변, 정상 상태
- 0.36 °/W M 접합-케이스(드레인), 정상 상태
게시일: 2025-06-11
| 갱신일: 2025-06-16