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Vishay Semiconductors SI78 N-채널(D-S) MOSFET

Vishay Semiconductors의 SI78 N 채널(D-S) MOSFET은 낮은 1.07mm 프로파일의 새로운 저열 저항 PowerPAK®패키지로 제공됩니다. 이 N 채널(D-S) MOSFET은 PWM에 최적화되어 있고,100% Rg 테스트를 거쳤으며, 무할로겐이며 RoHS 규격을 준수합니다. SI78 MOSFET은 DC/DC 변환기, DC/DC 애플리케이션용 1차측 스위치, 동기식 정류기에 사용됩니다.

특징

  • 1.07mm 로우 프로파일의 새로운 저열 저항 PowerPAK® 패키지
  • 100% Rg 테스트 완료
  • 무할로겐
  • RoHS 준수

애플리케이션

  • DC/DC 컨버터
  • DC/DC 애플리케이션용 일차 측 스위치
  • 동기식 정류기

패키지 크기

Vishay Semiconductors SI78 N-채널(D-S) MOSFET
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부품 번호 데이터시트 패키지/케이스 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Qg - 게이트 전하 Pd - 전력 발산 순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소 하강 시간 상승 시간 표준 턴-오프 지연 시간 표준 턴-온 지연 시간
SI7848BDP-T1-E3 SI7848BDP-T1-E3 데이터시트 PowerPAK-SO-8 40 V 47 A 9 mOhms 33 nC 36 W 56 S 10 ns 12 ns 25 ns 25 ns
SI7812DN-T1-E3 SI7812DN-T1-E3 데이터시트 PowerPAK-1212-8 75 V 16 A 37 mOhms 16 nC 52 W 23 S 50 ns 130 ns 35 ns 20 ns
SI7812DN-T1-GE3 SI7812DN-T1-GE3 데이터시트 PowerPAK-1212-8 75 V 16 A 37 mOhms 16 nC 52 W 23 S 50 ns 130 ns 35 ns 20 ns
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 데이터시트 PowerPAK-SO-8 150 V 3 A 85 mOhms 17 nC 1.9 W 15 S 17 ns 10 ns 24 ns 9 ns
SI7846DP-T1-GE3 SI7846DP-T1-GE3 데이터시트 PowerPAK-SO-8 150 V 24.5 A 50 mOhms 30 nC 1.9 W 18 S 10 ns 7 ns 22 ns 12 ns
SI7806ADN-T1-E3 SI7806ADN-T1-E3 데이터시트 PowerPAK-1212-8 30 V 9 A 11 mOhms 13.2 nC 1.5 W 32 S 10 ns 10 ns 33 ns 13 ns
SI7898DP-T1-GE3 SI7898DP-T1-GE3 데이터시트 PowerPAK-SO-8 150 V 3 A 85 mOhms 17 nC 1.9 W 15 S 17 ns 10 ns 24 ns 9 ns
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 데이터시트 PowerPAK-SO-8 60 V 12 A 19.5 mOhms 11.1 nC 35.7 W 39 S 10 ns 21 ns 10 ns 7 ns
SI7892BDP-T1-GE3 SI7892BDP-T1-GE3 데이터시트 PowerPAK-SO-8 30 V 15 A 4.2 mOhms 27 nC 1.8 W 85 S 20 ns 13 ns 62 ns 20 ns
SI7880ADP-T1-E3 SI7880ADP-T1-E3 데이터시트 PowerPAK-SO-8 30 V 40 A 3 mOhms 84 nC 83 W 120 S 30 ns 14 ns 96 ns 20 ns
게시일: 2024-01-09 | 갱신일: 2024-01-24