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Vishay Semiconductors SI73 TrenchFET® 전력 MOSFET

Vishay Semiconductors의 SI73 TrenchFET® 전력 MOSFET은 1.07mm의 저프로파일의 새로운 저열 저항 PowerPAK® 패키지로 제공됩니다. TrenchFET® 전력 MOSFET은 100% Rg/UIS 테스트를 거쳤으며 무할로겐입니다. 이 SI73 전력 MOSFET은 DC/DC 변환기에 이상적으로 사용됩니다.

특징

  • 1.07mm 로우 프로파일의 새로운 저열 저항 PowerPAK® 패키지
  • 100% Rg/UIS 테스트 완료
  • 무할로겐

애플리케이션

  • DC/DC 컨버터

패키지 크기

Vishay Semiconductors SI73 TrenchFET® 전력 MOSFET
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부품 번호 데이터시트 패키지/케이스 트랜지스터 극성 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 Pd - 전력 발산 순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소 하강 시간 상승 시간 표준 턴-오프 지연 시간 표준 턴-온 지연 시간
SI7336ADP-T1-E3 SI7336ADP-T1-E3 데이터시트 PowerPAK-SO-8 N-Channel 30 V 30 A 3 mOhms 1 V 36 nC 5.4 W 110 S 32 ns 16 ns 90 ns 24 ns
SI7386DP-T1-GE3 SI7386DP-T1-GE3 데이터시트 PowerPAK-SO-8 N-Channel 30 V 19 A 7 mOhms 2.5 V 11.5 nC 5 W 50 S 10 ns 9 ns 35 ns 12 ns
SI7336ADP-T1-GE3 SI7336ADP-T1-GE3 데이터시트 PowerPAK-SO-8 N-Channel 30 V 30 A 3 mOhms 1 V 36 nC 5.4 W 110 S 32 ns 16 ns 90 ns 24 ns
SI7309DN-T1-GE3 SI7309DN-T1-GE3 데이터시트 PowerPAK-1212-8 P-Channel 60 V 8 A 146 mOhms 3 V 14.5 nC 19.8 W 10 S 35 ns 15 ns 30 ns 25 ns
SI7370DP-T1-GE3 SI7370DP-T1-GE3 데이터시트 PowerPAK-SO-8 N-Channel 60 V 9.6 A 11 mOhms 4 V 57 nC 5.2 W 50 S 30 ns 12 ns 16 ns 50 ns
SI7370DP-T1-E3 SI7370DP-T1-E3 데이터시트 PowerPAK-SO-8 N-Channel 60 V 9.6 A 11 mOhms 4 V 57 nC 5.2 W 50 S 30 ns 12 ns 16 ns 50 ns
SI7309DN-T1-E3 SI7309DN-T1-E3 데이터시트 PowerPAK-1212-8 P-Channel 60 V 8 A 146 mOhms 3 V 14.5 nC 19.8 W 10 S 35 ns 15 ns 30 ns 25 ns
SI7386DP-T1-E3 SI7386DP-T1-E3 데이터시트 PowerPAK-SO-8 N-Channel 30 V 19 A 7 mOhms 2.5 V 11.5 nC 5 W 50 S 10 ns 9 ns 35 ns 12 ns
SI7315DN-T1-GE3 SI7315DN-T1-GE3 데이터시트 PowerPAK-1212-8 P-Channel 150 V 8.9 A 315 mOhms 4 V 19.5 nC 52 W 10 S 8 ns 9 ns 23 ns 8 ns
SI7370ADP-T1-GE3 SI7370ADP-T1-GE3 데이터시트 PowerPAK-1212-8 N-Channel 60 V 50 A 57 mOhms 4 V 8.4 nC 69.4 W 12 S 20 ns 9 ns 40 ns 20 ns
게시일: 2024-01-08 | 갱신일: 2024-01-24