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Vishay Semiconductors 표면 실장 PAR® 과도 전압 억제기

Vishay Semiconductors TA6L 및 TA6F 표면 실장 PAR® TVS(과도 전압 억제기)는 고온 안정성과 고신뢰성 조건을 위해 설계되었습니다. 이 압축기는 접합 부동태화 최적화 설계 부동태화 이방성 정류 기술을 사용하여 작동합니다. TA6L 및 TA6F 과도 전압 억제기는 우수한 클램핑 기능, 6.8~100VVBR 범위, 단방향 극성, 5.8~85.5V VWM 범위를 제공합니다. 이 억제기는 RoHS 규격을 준수하며 AEC-Q101 인증을 받았습니다. TA6L 및 TA6F 과도 전압 억제기는 낙뢰에 의해 유도되는 전압 과도로부터 IC 및 MOSFET과 같은 민감한 전자 장치를 보호하는 데 사용됩니다.

특징

  • 6.8V~100V VBR 범위
  • 5.8V~85.5V VWM 범위
  • 600W 피크 펄스 전력(10μs/1,000μs)
  • 단방향 극성
  • 탁월한 클램핑 성능
  • IEC 61000-4-2에 따른 최대 ESD 보호(30kV)
  • 접합 부동태화 최적 설계 부동태화 이방성 정류 기술
  • SlimSMA(DO-221AC) 및 SlimSMAW(DO-221AD) 패키지로 제공
  • RoHS 준수
  • 무할로겐
  • AEC-Q101 인증

애플리케이션

  • IC
  • MOSFET
  • 차량용 센서 유닛의 신호 라인

SlimSMAW(DO-221AD) 패키지 외형 치수

Vishay Semiconductors 표면 실장 PAR® 과도 전압 억제기

SlimSMA(DO-221AC) 패키지 외형 치수

Vishay Semiconductors 표면 실장 PAR® 과도 전압 억제기

데이터시트

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부품 번호 작동 전압 항복 전압 제한 전압 Ipp - 피크 펄스 전류 Pppm - 피크 펄스 소비 전력 Pd - 전력 발산 극성 채널 수 최저 작동온도 최고 작동온도
TA6L100AHM3/H 85.5 V 95 V 137 V 4.4 A 600 W 1.1 W Unidirectional 1 Channel - 65 C + 185 C
TA6L56AHM3/H 47.8 V 53.2 V 77 V 7.8 A 600 W 1.1 W Unidirectional 1 Channel - 65 C + 185 C
TA6L62AHM3/H 53 V 58.9 V 85 V 7.1 A 600 W 1.1 W Unidirectional 1 Channel - 65 C + 185 C
TA6L68AHM3/H 58.1 V 64.6 V 92 V 6.5 A 600 W 1.1 W Unidirectional 1 Channel - 65 C + 185 C
TA6L75AHM3/H 64.1 V 71.3 V 104 V 5.8 A 600 W 1.1 W Unidirectional 1 Channel - 65 C + 185 C
TA6L82AHM3/H 70.1 V 77.9 V 113 V 5.3 A 600 W 1.1 W Unidirectional 1 Channel - 65 C + 185 C
TA6L91AHM3/H 77.8 V 86.5 V 125 V 4.8 A 600 W 1.1 W Unidirectional 1 Channel - 65 C + 185 C
TA6F82AHM3_A/H 70.1 V 77.9 V 113 V 5.3 A 600 W 1.1 W Unidirectional 1 Channel - 65 C + 185 C
TA6F91AHM3_A/H 77.8 V 86.5 V 125 V 4.8 A 600 W 1.1 W Unidirectional 1 Channel - 65 C + 185 C
TA6F100AHM3_A/H 85.5 V 95 V 137 V 4.4 A 600 W 1.1 W Unidirectional 1 Channel - 65 C + 185 C
게시일: 2025-04-07 | 갱신일: 2025-05-13