특징
- MOSFET/IGBT 게이트 전력 및 타이밍 신호 동시 제공
- 버스에서 하이 측 MOSFET/IGBT를 최대 200V까지 직접 구동 가능
- 우수한 상승 시간, 오버 슈트 및 피크 전류 특성 제공
- 125~750kHz 주파수 범위
- -55~+130°C 작동 온도 범위
사양
- Up to 1500VDC dielectric withstand voltage
- 100mARMS winding current
- 400mW total power dissipation
- 125kHz to 750kHz frequency
- 8.9mm length x 6.6mm width x 5.6mm height
크기: 인치(mm)
게시일: 2020-11-16
| 갱신일: 2024-11-15

