Toshiba 강화 모드 TPH2R70AR5 N 채널 MOSFET은 SOP Advance (N) 패키지로 제공됩니다.
특징
- trr = 52 ns (표준) 빠른 역방향 회복
- Qrr = 55nC (표준) 감소된 역회복 전하
- QSW = 17nC (표준) 낮은 스위칭 게이트 전하
- IDSS = 10 µA (최대) (VDS = 100 V) 우수한 누설 제어
- RDS (ON) = 2.3mΩ (표준) (VGS = 10 V) 초저 전도 손실
- Vth = 2.9 V ~ 4.3 V (VDS = 10 V, ID = 1 0 mA) 엄격한 임계 전압
애플리케이션
- 고효율 DC-DC 전력 변환
- 전압 조정 회로
- 모터 구동 시스템
- 산업
패키징 및 내부 회로
게시일: 2025-10-08
| 갱신일: 2026-01-12
