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Toshiba TKx 실리콘 N-채널 MOSFET

Toshiba TKx 실리콘 N-채널 MOSFET은 U-MOSX-H 및 DTMOSVI 유형으로 제공되고 탁월한 성능 특성을 제공합니다. 이 MOSFET은 빠른 역회복 시간을 갖도록 설계되어, 턴오프 상태와 턴온 상태 사이의 지연 시간을 줄이고 고속 스위칭 애플리케이션의 효율을 향상시킵니다. 낮은 드레인-소스 온 저항(RDS(on))은 전력 손실을 최소화하고 열 관리를 개선하여, 낮은 에너지 소모로 높은 전류 처리가 필요한 애플리케이션에 이상적입니다.

특징

  • U-MOSX-H 및 DTMOSVI 유형
  • 빠른 역회복 시간
    • U-MOSX-H의 경우 40ns~52ns의 표준 범위
    • DTMOSVI의 경우 135ns(표준)
  • 낮은 드레인 및 소스 온 상태 저항
    • U-MOSX-H의 경우 4.1mΩ~8mΩ의 표준 범위
    • DTMOSVI의 경우 0.052Ω(표준)
  • 강화 모드 범위
    • U-MOSX-H용 3.1~4.5V(VDS=10V, ID=1.1~2.2mA)
    • DTMOSVI용 3.5~4.5V(VDS=10V, ID=1.69mA)
  • 낮은 정전 용량(DTMOSVI)의 고속 스위칭 특성
  • 32~55nC 표준 역회복 충전 범위(U-MOSX-H)
  • 17~26nC 표준 게이트 충전 범위(U-MOSX-H)
  • 10µA 최대 누설 전류(U-MOSX-H)

애플리케이션

  • 스위칭 전압 조정기
  • 고효율 DC-DC 컨버터(U-MOSX-H)
  • 모터 드라이버(U-MOSX-H)
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부품 번호 데이터시트 패키지/케이스 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Qg - 게이트 전하 Pd - 전력 발산 상승 시간 하강 시간
TK095U65Z5,RQ TK095U65Z5,RQ 데이터시트 TOLL-9 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 50 nC 230 W 17 ns 4 ns
TK115U65Z5,RQ TK115U65Z5,RQ 데이터시트 TOLL-9 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 42 nC 190 W 14 ns 3.7 ns
TK155U60Z1,RQ TK155U60Z1,RQ 데이터시트 TOLL-9 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 24 nC 130 W 15 ns 5 ns
TK080U60Z1,RQ TK080U60Z1,RQ 데이터시트 TOLL-9 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 43 nC 211 W 20 ns 4 ns
TK099U60Z1,RQ TK099U60Z1,RQ 데이터시트 TOLL-9 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC 176 W 18 ns 4.6 ns
TK125U60Z1,RQ TK125U60Z1,RQ 데이터시트 TOLL-9 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 28 nC 150 W 16 ns 5 ns
TK063N60Z1,S1F TK063N60Z1,S1F 데이터시트 TO-247-3 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 56 nC 242 W 50 ns 5 ns
TK068N65Z5,S1F TK068N65Z5,S1F 데이터시트 TO-247-3 650 V 37 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 68 nC 270 W 51 ns 3.5 ns
TK4R9E15Q5,S1X TK4R9E15Q5,S1X 데이터시트 TO-220-3 150 V 120 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 96 nC 300 W 87 ns 77 ns
TK5R0A15Q5,S4X TK5R0A15Q5,S4X 데이터시트 TO-220SIS-3 150 V 76 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 96 nC 53 W 62 ns 57 ns
게시일: 2024-09-10 | 갱신일: 2025-08-02