Texas Instruments UCC5870QEVM-045 게이트 드라이버 평가 모듈
Texas Instruments UCC5870QEVM-045 게이트 드라이버 EVM(평가 모듈)은 고급 보호 기능을 갖춘 TI의 15A 절연형 단일 채널 게이트 드라이버를 평가하기 위해 설계되었습니다. 이 평가 모듈은 EV/HEV 애플리케이션에서 고전력 SiC MOSFET 및 IGBT를 구동하기 위한 것입니다. 이 3상 평가 모듈을 사용하여 드라이버의 SPI(직렬 주변기기 인터페이스)용 소프트웨어를 디버깅할 수 있습니다. 또한 드라이버의 정교한 진단, 보호 및 모니터링 기능을 살펴볼 수 있습니다. Texas Instruments UCC5870QEVM-045는 TI 어드레스 모드 SPI 통신 기능을 갖춘 UCC5870-Q1 게이트 드라이버의 6개 채널을 테스트하도록 설계되었습니다. 또한 데이지 체인 모드 SPI 통신을 위해 보드를 구성하는 옵션도 있습니다. 이 보드는 C2000 LaunchPad LAUNCHXL-F28379D에 직접 결합할 수 있지만 다른 유형의 컨트롤러를 위한 커넥터도 제공합니다.
특징
- 빠른 켜기 및 끄기 시간을 위한 15A 피크 분할 싱크/소스 구동 전류
- 드라이버 출력 전압은 기본적으로 12V 입력 공급 시 +15V/-8V 입니다.
- UCC5870-Q1를 위한 UL 1577에 따른 3,750VRMS 1분 절연
- 플라이백 변압기를 위한 3,000VRMS 1분 절연
- 1차측과 2차측 사이 연면 거리 8mm 이상
- Desat 단락 보호 및 액티브 Vce 클램프
- 내부 또는 외부 FET를 사용하는 액티브 밀러 클램프
- 결함 피드백 및 리셋
- 온도 감지 및 DC 버스 전압 감지용 ADC
- 1차 및 2차 ASC
- 주소 모드 또는 데이지 체인 모드 SPI 기반 장치 재구성, 검증, 감시 및 진단
- C2000 LaunchPad LAUNCHXL-F28379D에 적합
- 1~100% 부하에서 ±2% 이상의 부하 레귤레이션으로 엄격히 조정되는 15V 및 -7.7V의 절연 출력 전압
소프트웨어
벤치 설정 구성
관련 제품
Texas Instruments UCC5870-Q1 IGBT/SiC MOSFET 게이트 드라이버
EV/HEV 애플리케이션에서 고전력 SiC MOSFET & IGBT를 구동하기 위한 단일 채널 게이트 드라이버입니다.
관련 개발 도구
Texas Instruments LAUNCHXL-F28379D C2000 Delfino LaunchPad 개발 보드
Delfino F2837xD 마이크로컨트롤러용 완벽한 저비용 개발 보드.
게시일: 2021-03-22
| 갱신일: 2022-03-11