Texas Instruments UCC21759-Q1 단일 채널 절연 게이트 드라이버
Texas Instruments UCC21759-Q1 단일 채널 절연 게이트 드라이버는 최대 990V DC의 작동 전압을 지원하는 SiC MOSFET 및 IGBT용으로 설계된 갈바닉 절연 단일 채널 게이트 드라이버입니다. 이 장치는 고급 보호 기능, 동급 최고 수준의 동적 성능 및 견고성을 제공합니다. UCC21759-Q1은 최대 ±10A의 피크 소스 및 싱크 전류를 제공합니다. 입력 측은 SiO2 용량성 절연 기술이 적용된 출력 측에서 분리되어 최대 700VRMS의 작동 전압, 6kVPK 서지 내성을 지원하며 40년 이상의 절연 배리어 수명을 제공할뿐 아니라 낮은 부품 간 스큐와 150V/ns 이상의 CMTI(공통 모드 과도 내성)를 제공합니다.
Texas Instruments UCC21759-Q1는 빠른 단락 감지, 오류보고 및 활성 밀러 클램프와 같은 최첨단 보호 기능을 포함하고 있습니다. 또한 SiC 및 IGBT 전력 트랜지스터에 최적화된 입력 및 출력 측 전원 공급 장치 UVLO도 포함하고 있습니다. 보다 쉬운 온도 또는 전압 감지를 위해 절연 아날로그-PWM 센서를 활용하여 드라이버의 다기능성을 더욱 증가시키고 시스템 설계 노력, 크기 및 비용을 간소화할 수 있습니다.
특징
- 3kVRMS 단일 채널 절연 게이트 드라이버
- 자동차 애플리케이션에 대한 AEC-Q100 인증 획득
- 990Vpk(최대) SiC MOSFET 및 IGBT 구동
- 33V 최대 출력 드라이브 전압(VDD-VEE)
- 높은 피크 드라이브 전류 및 높은 CMTI
- ±10A 드라이브 강도 및 분할 출력
- 150V/ns 최소 CMTI
- 200ns의 응답 시간, 빠른 DESAT 보호
- 4A 내부 액티브 밀러 클램프
- 결함 상태에서 400mA 소프트 턴-오프
- PWM 출력을 갖춘 절연 아날로그 센서
- NTC, PTC 또는 열 다이오드를 사용한 온도 감지
- 고전압 DC-링크 또는 위상 전압
- 과전류 및 RST/EN에서 리셋 시 경보 FLT
- RST/EN에서 빠른 활성화/비활성화 응답
- 입력 핀에서 40ns 미만의 잡음 과도 응답 및 펄스 제거
- 12V VDD UVLO (RDY 전원 공급 양호 시)
- 5V(최대)의 오버슈트/언더슈트 과도 전압 내성을 가진 입력부/출력부
- 130ns(최대) 전파 지연 및 30ns(최대) 펄스/부품 스큐
- 연면 거리 및 간극 거리가 8mm 이상인 SOIC-16 DW 패키지
- -40~150°C 작동 접합 온도
- 안전 관련 인증(예정)
- DIN V VDE V0884-11: 2017-01에 따른 6000VPK 기본 절연
- UL 1577에 따라 1분간 3kVRMS 절연
애플리케이션
- EV용 트랙션 인버터
- 보드 내장형 충전기 및 충전 파일
- HEV/EV용 DC/DC 변환기
기능 블록 선도
관련 개발 도구
Texas Instruments UCC21750QDWEVM-025 평가 보드
SiC MOSFET 및 Si IGBT 전력 모듈을 위한 콤팩트한 단일 채널 절연 게이트 드라이버 보드입니다.
게시일: 2021-01-20
| 갱신일: 2022-03-11