Texas Instruments TPS54116-Q1 동기식 강압 컨버터
Texas Instruments TPS54116-Q1 동기식 강압 컨버터는 집적 MOSFET 2개 및 VTTREF 버퍼링된 기준 출력 장치가 있는 1A 싱크/소스 더블 데이터 전송률(DDR) VTT 종단 레귤레이터와 함께 제공됩니다. 이 벅 레귤레이터는 MOSFET를 통합하고 최대 2.5MHz 전환 주파수로 인덕터 크기를 줄여 솔루션 크기를 최소화합니다. 잡음에 민감한 응용 기기를 위해 전환 주파수를 중간파 무선 대역 위로 설정하고 외부 클록으로 동기화 가능합니다. 동기식 정류 장치가 전체 출력 부하 범위에서 주파수를 고정 상태로 유지합니다. 집적 25mΩ 저측 및 33mΩ 고측 MOSFET를 통해 효율이 극대화됩니다. 사이클 바이 사이클 피크 전류 제한 장치가 과전류 조건 동안 장치를 보호합니다. ILIM 핀의 레지스터를 사용하여 조절하여 보다 작은 인덕터를 최적화할 수도 있습니다.
특징
- AEC-Q100 qualified with the following results
- Device temperature Grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
- Device HBM ESD Classification Level 2
- Device CDM ESD Classification Level C6
- 4A synchronous buck converter
- Integrated 33mΩ high-side and 25mΩ low-side MOSFETs
- Fixed frequency current-mode control
- Adjustable frequency from 100kHz to 2.5MHz
- Synchronizable to an external clock
- 0.6V ±1% voltage reference over temperature
- Adjustable cycle-by-cycle peak current limit
- Monotonic start-up into pre-biased outputs
- Single-chip DDR2, DDR3, and DDR3L memory power solution
- 1A source/sink termination LDO with ±20mV DC accuracy
- Stable with 2×10µF MLCC capacitor
- 10mA source/sink buffered reference output regulated to within 49% to 51% of VDDQ
- Independent enable pins with adjustable UVLO and hysteresis
- Thermal shutdown
- –40°C to 150°C operating TJ
- 24-pin, 4mm×4mm WQFN package
애플리케이션
- DDR2, DDR3, DDR3L, and DDR4 memory power supplies in embedded computing systems
- SSTL_18, SSTL_15, SSTL_135, SSTL_12 and HSTL termination
- Infotainment and cluster
- Advanced Driver Assistance Systems (ADAS)
Simplified Schematic
Related Development Tool
Texas Instruments TPS54116-Q1EVM-830 DDR 전력 솔루션 EVM
자동차 DDR 전력 솔루션인 TPS54116-Q1 평가 작업을 용이하게 합니다.
게시일: 2016-09-13
| 갱신일: 2025-03-06