Texas Instruments TDEL3G511/-Q1 트리플 라이징 에지 지연 소자
Texas Instruments TDEL3G511/-Q1 트리플 라이징 에지 지연 엘리먼트는 3개의 독립적인 고정 시간 지연 채널을 포함합니다. TDEL3G511/-Q1의 각 채널은 입력 신호의 라이징 에지를 지연시키는 동시에 폴링 에지는 최소한의 지연으로 통과시키도록 설계되었습니다. 이러한 동작을 통해 장치는 짧은 액티브 로우 펄스를 연장하고, 짧은 액티브 하이 펄스를 필터링하며, 액티브 로우 신호를 디바운스할 수 있습니다.
TI TDEL3G511/-Q1 엘리먼트는 사전 구성된 디지털 타이밍을 사용하며 외부 타이밍 소자가 필요하지 않습니다. 슈미트 트리거 입력은 신호 처리 능력을 향상시키고, I/O 클램프 다이오드는 과전압 및 저전압 과도 현상으로부터 보호합니다. TDEL3G511-Q1은 자동차 애플리케이션을 위한 AEC-Q100 인증을 추가했습니다.
특징
- 자동차 애플리케이션용 AEC-Q100 인증을 획득한 TDEL3G511-Q1
- -40°C ~ +125°C의 동작 주위 온도를 갖는 장치 온도 등급 1
- HBM ESD 등급 2
- CDM ESD 분류 레벨 C4B
- 3개의 독립적인 라이징 에지 지연 채널
- 최소한의 폴링 에지 지연을 동반한 라이징 에지 지연
- 외부 타이밍 구성 요소 없이 사전 구성된 디지털 타이밍
- 모든 입력에 스미트 트리거 아키텍처
- 과전압 및 부족 전압 과도 현상 보호를 위한 I/O 클램프 다이오드
- 푸시-풀 출력
- 3개 채널 전체에서 공유되는 발진기 및 제어 로직
애플리케이션
- 신호의 라이징 에지 지연
- 짧은 활성 낮은 펄스 확장
- 짧은 액티브 하이 펄스 필터링
- 액티브 로우 신호 디바운스
사양
- 3개의 지연 채널
- 약 100ms의 고정 지연 시간
- 1%의 전형적인 지연 편차
- 10%의 최대 지연 변동
- 1.65V ~ 5.5V의 공급 전압 범위
- 3 µA의 일반적인 공급 전류
- 최대 출력 드라이브 전류
- 12 mA 저레벨 출력 전류
- -12 mA 고레벨 출력 전류
- ±20 mA의 최대 연속 디지털 출력 전류
- 1µs 동안 ±100 mA의 최대 펄스 디지털 출력 전류
- VCC 또는 GND를 통한 ±60mA의 최대 연속 전류
- 3개의 슈미트 트리거 입력
- 3개의 푸시풀 출력
- 8핀 SOT-5X3 패키지
- 패키지 크기: 2.1 mm x 1.6 mm
평가 모듈
Texas Instruments 5-8-LOGIC-EVM 평가 모듈
DBV, DCK, DCT, DCU 및 DRL 패키지에서 리드 Logic 장치를 지원하도록 개발되었습니다.
데이터시트
핀아웃 다이어그램
기능 블록 선도
게시일: 2026-09-14
| 갱신일: 2026-09-17