Texas Instruments MSP430FR247x 혼합 신호 마이크로컨트롤러(MCU)

Texas Instruments MSP430FR247x 혼합 신호 마이크로컨트롤러(MCU)는 감지 및 측정 애플리케이션용 초저전력, 저가형 장치로 구성된 MSP430™ MCU 밸류 라인 포트폴리오에 속합니다. MSP430FR247x MCU는 12비트 SAR ADC와 비교기 1개를 통합한 제품입니다. MSP430FR247x MCU는 -40~105°C의 확장 온도 범위를 지원하므로, 고온 산업용 애플리케이션이 이 장치의 FRAM 데이터 로깅 기능을 활용할 수 있습니다.

이 MSP430 초저전력(ULP) FRAM 마이크로컨트롤러 플랫폼은 고유하게 내장된 FRAM과 전체적인 초저전력 시스템 아키텍처를 결합하여 시스템 설계자가 에너지 소비를 줄이면서 성능을 향상시킬 수 있도록 합니다. FRAM 기술은 RAM의 특징인 저전력 고속 쓰기, 유연성 및 내구성을 플래시의 특징인 비휘발성 동작과 결합한 것입니다.

TI MSP430 저전력 마이크로컨트롤러 제품군은 다양한 애플리케이션을 겨냥한 다양한 주변장치 세트를 갖춘 장치로 구성되어 있습니다. 이 아키텍처에는 저전력 확장 모드가 적용되어 있으며, 휴대용 측정 애플리케이션의 배터리 수명 연장을 달성할 수 있도록 최적화되어 있습니다. 이 MCU는 강력한 16비트 RISC CPU, 16비트 레지스터 및 정수 발생기가 특징이며, 이를 통해 코딩 효율을 극대화할 수 있습니다. 디지털 제어 발진기(DCO)를 사용하여, MCU가 10µs(표준) 이내에 저전력 모드에서 활성 모드로 깨어납니다.

특징

임베디드 마이크로컨트롤러
- 16비트 RISC 아키텍처
- 클록 지원 주파수: 최대 16MHz
- 넓은 공급 전압 범위: 1.8~3.6V(최소 공급 전압은 SVS 레벨에 따라 제한됨)
최적화된 초저전력 모드
- 액티브 모드: 135µA/MHz(표준)
- 대기: 32,768Hz 크리스털이 내장된 LPM3.5, RTC(실시간 클록) 카운터: 660nA(표준)
- 셧다운 모드(LPM4.5): 37nA(SVS 제외)
저전력 강유전성 RAM(FRAM)
- 최대 64KB의 비휘발성 메모리
- 내장 오류 수정 코드(ECC)
- 구성 설정 가능한 쓰기 방지 기능
- 프로그램, 정수 및 저장공간 통합 메모리
- 쓰기 수명 1,015회
- 내방사선성 및 비자성
지능형 디지털 주변 장치
핀 재배열 기능을 지원하는 향상된 직렬 통신
고성능 아날로그
- 최대 12개 채널이 있는 12비트 아날로그-디지털 컨버터(ADC) 1개
- 향상된 비교기(eCOMP) 1개

클록 시스템(CS)
- 온칩 32kHz RC 발진기(REFO), 1µA 지원 포함
- 주파수 고정 루프(FLL) 내장 온칩 16MHz 디지털 제어식 발진기(DCO)
- 온칩 극저주파 10kHz 발진기(VLO)
- 온칩 고주파 변조 발진기(MODOSC)
- 외부 32kHz 크리스털 발진기(LFXT)
- 1~128 범위의 프로그램 가능 MCLK 프리스케일러
- 1, 2, 4, 8 프로그램 가능 프리스케일러의 MCLK로부터 SMCLK 추출
범용 입출력 및 핀 기능
- LQFP-48 패키지에서 I/O 43개
- 모든 GPIO에서 43개의 인터럽트 핀이 저전력 모드에서 MCU를 깨울 수 있음
제품군에 속한 제품
- MSP430FR2476: 64KB의 프로그램 FRAM, 512B의 정보 FRAM, 8KB RAM
- MSP430FR2475: 32KB의 프로그램 FRAM, 512B의 정보 FRAM, 4KB RAM
패키지 옵션
- 48핀: LQFP(PT)
- 40핀: VQFN(RHA)
- 32핀: VQFN(RHB)