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Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET 전력 MOSFET

Texas Instruments의 FemtoFET 전력 MOSFET은 초소형 설치공간(케이스 크기 0402)만 요구하며 초저 수준의 저항(타사 제품 대비 70% 미만)만 갖습니다. 초저 Qg, Qgd의 사양을 가지며 최적화된 ESD 등급이 특징입니다. LGA(랜드 그리드 어레이) 패키지로 생산됩니다. LGA 패키지는 규소 내용물을 최대화하므로 공간에 제약이 있는 애플리케이션에 적합합니다. 전력 MOSFET은 전력 손실과 스위칭 손실이 낮아서 경부하 성능이 향상됩니다. 일반적으로 휴대용, 이동식, 부하 스위치, 범용 스위칭, 배터리 애플리케이션 등에 사용할 수 있습니다.

특징
  • 초소형 설치공간: 케이스 크기 0402
    • 1.0mm x 0.6mm
    • 산업 표준 패키지에 따른 설치공간
    • 낮은 높이: 0.35mm 이상
  • 초저 저항: 타사 제품 대비 30% 미만
  • 초저 Qg 및 Qgd
  • LGA(랜드 그리드 어레이) 패키지가 규소 내용물을 최대화
  • 최적화된 ESD 등급
  • 휴대전화, 태블릿 PC 등 공간에 제약이 있는 애플리케이션에 적합
  • 간편한 2차 공급자 조달
  • Z(높이)가 얇은 제품 지원
  • 낮은 전력 손실

  • 낮은 스위칭 손실: 경부하 성능 개선
  • Id 전류 2A 이상 지원, 타사 제품 대비 2배
  • 튼튼한 생산

응용 분야
  • 손바닥 크기의 휴대용 애플리케이션
  • 부하 스위치 애플리케이션에 최적화
  • 범용 스위칭 애플리케이션에 최적화
  • 배터리 애플리케이션
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  • Texas Instruments
게시일: 2015-03-06 | 갱신일: 2022-03-11